顾名思义,SLC SSD 中的单元每个单元只能存储一位,MLC 存储两个,TLC 存储三个,QLC 存储四个。虽然这似乎是一种“越大越好”的情况,但情况并非如此。使用 QLC 驱动器增加容量(以相同的价格)是最容易的,因为对于相同的存储量,它们需要的单元数是 SLC 驱动器的 1/4。 更大并不总是更好 将多个位写入单个单元...
根据NAND闪存中电子单元密度的差异,又可以分为SLC(单层次存储单元)、MLC(双层存储单元)、TLC(三层存储单元)以及最新推出的QLC(四层存储单元)。固态硬盘依靠闪存芯片来存储数据,里面存放数据最小单位叫作“Cell”,SLC每个cell可以存放1bit数据,MLC每个cell可以存放2bit数据,TLC每个cell可以存放3bit数据,而QLC可以存放4...
SLC 单元每单元存储一位，MLC 存储两位，TLC 存储三位，QLC 存储四位。TLC 是最受欢迎的，与 3D NAND 搭配使用，提供性能、可靠性和价格之间的平衡。QLC 虽然在速度和耐用性方面落后于 TLC，但更便宜，因此开始流行。如今，SLC 驱动器几乎不存在，MLC 仅限于少数高性能数据中心。NVMe 是一种较新的...
QLC颗粒 QLC、SLC、MLC、TLC颗粒区别对比 SLC(单层存储单元) 全称是Single-Level Cell,单层电子结构,每个cell可以存放1bit数据,SLC达到1bit/cell,写入数据的时候电压变化区间小,P/E寿命较长,理论擦写次数在10万次以上,但是由于成本最高,所以SLC颗粒多数用于企业级高端产品中。 MLC(双层存储单元) 全称是Multi-Level...
固态硬盘依靠闪存芯片来存储数据,里面存放数据最小单位叫作“Cell”,SLC每个cell可以存放1bit数据,MLC每个cell可以存放2bit数据,TLC每个cell可以存放3bit数据,而QLC可以存放4bit数据。 为了小白更好的理解其中的意义,我来举个例子,我们将芯片可以看做一张画满格子的纸张,cell相当于纸张上的一个个的格子,数据看做是...
QLC:或者可以叫4bit MLC,电压有16种变化,但是容量能增加33%,就是写入性能、P/E寿命与TLC相比会进一步降低。具体的性能测试上,美光有做过实验。读取速度方面,SATA接口中的二者都可以达到540MB/S,QLC表现差在写入速度上,因为其P/E编程时间就比MLC、TLC更长,速度更慢,连续写入速度从520MB/s降至360MB/s,随机性...
QLC(四层存储单元) 全称是Quad-Level Cell,四层式存储单元,QLC闪存颗粒拥有比TLC更高的存储密度,同时成本上相比TLC更低,优势就是可以将容量做的更大,成本上更低,劣势就是P/E寿命更短,理论擦写次数仅150次。 QLC、SLC、MLC、TLC颗粒对比 QLC颗粒为什么欠好?
固态硬盘QLC、SLC、MLC、TLC颗粒区别对比知识 根据NAND闪存中电子单元密度的差异,又可以分为SLC(单层次存储单元)、MLC(双层存储单元)、TLC(三层存储单元)以及最新推出的QLC(四层存储单元)。固态硬盘依靠闪存芯片来存储数据,里面存放数据最小单位叫作“Cell”,SLC每个cell可以存放1bit数据,MLC每个cell可以存放2bit数据...
NAND闪存(NAND Flash)颗粒SLC,MLC,TLC,QLC的对比 技术标签:经验分享DIY折腾Flash闪存SLCMLCTLCQLC 1.固态硬盘性能指标: 顺序读写seq 顺序读写是我们日常使用电脑做一下数据的拷贝,转移时常见的操作,这是读写的过程都是有规律的序列。所以一般SSD的顺序读取速度都是不会太慢的。 4K随机读写(4K) 4K随......