slc(单层存储单元)理论擦写次数10万次,mlc(双层存储单元)3000-10000次;tlc(三层存储单元)500-1000次;qlc(四层存储单元)仅仅150次,这样一个硬盘的寿命就很直观了。 这说的是2D工艺,现在的闪存都是3D的,QLC的寿命已经突破了1000P/E,和以前的TLC相仿了,但是依然比不过同样是3D工艺的tlc。 2D时代4个产品的主要...
mlc理论寿命=120*3000/10=36000天=98.6年; tlc理论寿命=120*500/10=6000天=16.44年; qlc理论寿命=120*150/10=1800天=4.93年。 qlc看起来很垃圾,但是不能这样算,因为qlc的优势是单位存储密度大,qlc硬盘至少得500G起步,市场普及后应该1T起步,按照500G计算理论寿命为20.55年,1T计算则为41年以上,估计电脑退休了,...
slc(单层存储单元)理论擦写次数10万次,mlc(双层存储单元)3000-10000次;tlc(三层存储单元)500-1000次;qlc(四层存储单元)仅仅150次,这样一个硬盘的寿命就很直观了。 这说的是2D工艺,现在的闪存都是3D的,QLC的寿命已经突破了1000P/E,和以前的TLC相仿了,但是依然比不过同样是3D工艺的tlc。 2D时代4个产品的主要...
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TLC(Triple-Level Cell):三层单元闪存,每个单元存储3个比特的数据,存储密度次于QLC。 MLC(Multi-Level Cell):多层单元闪存,一般指的是双层存储,每个单元存储2个比特的数据,存储密度低于TLC。 SLC(Single-Level Cell):单层单元闪存,每个单元存储1个比特的数据,存储密度最低。 读写性能 SLC:读写性能最佳,因为每个...
SLCTLCMLCQLC固态硬盘SSD 固态硬盘(SSD)的存储技术分为几种类型:单层单元(SLC)、多层单元(MLC)、三层单元(TLC)和四层单元(QLC)。这些类型的主要区别包括:1.存储位数的不同;2.性能和耐用性不同;3.成本考量不同;4.应用场景不同;5.技术演进不同。它们每个存储单元可以存储的数据位数,影响着SSD的性能、耐用性...
- MLC (Multi-Level Cell):每个cell存储2bit数据。 - TLC (Trinary-Level Cell):每个cell存储3bit数据。 - QLC (Quad-Level Cell):每个cell存储4bit数据。 我们可以将cell比作一张格子纸,数据则相当于放在格子里的黄豆。SLC每个格子只能放1颗黄豆,MLC为2颗,TLC为3颗,而QLC则可放4颗黄豆。在相同成本下,存...
2、MLC = Multi-Level Cell,即2bit/cell,速度一般寿命一般,价格一般,约3000---10000次擦写寿命。 3、TLC = Trinary-Level Cell,即3bit/cell,也有Flash厂家叫8LC,速度慢寿命短,价格便宜,约500-1000次擦写寿命。 4、QLC = Quad-Level Cell,即4bit/cell, 四层式存储单元,QLC闪存芯片颗粒有着比TLC更高存取...