留在IGBT中的载流子必须支持高dV/dt,因此通常会再次发生更高的载流子提取率,导致更高的IGBT电流,从而导致IGBT损耗。由于IGBT处于开基PNP模式,因此该电流还会引起额外的载流子注入,这将进一步增加IGBT损耗,或者ZCS模式下IGBT损耗的降低没有模型exp(-t/IJhl)预测的那么低。 3、Si/SiC混合开关损耗减少分析 Si/SiC混合...
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金融界2025年2月26日消息，国家知识产权局信息显示，厦门芯一代集成电路有限公司取得一项名为“一种Si基绝缘栅双极晶体管IGBT结构及其方法”的专利，授权公告号CN 113690194 B，申请日期为2021年8月。天眼查资料显示，厦门芯一代集成电路有限公司，成立于2017年，位于厦门市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册...
【#中电青年志# 振华永光高性能Si基IGBT攻关团队:党建引领,硬核攻坚半导体功率器件新高地】振华永光高性能Si基IGBT攻关青年突击队是一支平均年龄34岁的青年团队,致力于高端半导体功率器件设计、制造及产品应用方案开发,团队始终秉承“艰苦创业 无私奉献 团结协作 勇于创新”的三线精神和“创新 务实 和谐 奉献”的永光精神...
对于Si IGBT而言,米勒平台电压基本保持不变,如图3所示。考虑到SiC MOSFET的短沟道效应,其漏极电压引起的沟道势垒降低(DIBL)效应明显,米勒平台应为图6所示的“米勒斜坡”[9],根据Qg曲线可以确定米勒平台中Vgs和Qg的变化关系。 图6 SiC MOSFET的Qg曲线
Si基功率器件仿真交..Si基功率器件仿真交流指导( LDMOS SGT SJMOS LIGBT RCIGBT)+SiC(JBS,JFET,MOSFET)
摘要:对由SiC FET与Si IGBT并联组成的新型混合器件(HY_F)开展研究。首先,分析HY_F的基本结构与工作原理,并搭建HY_F的导通损耗模型、开通损耗模型以及关断损耗模型。其次,基于混合器件的仿真模型,分析HY_F与传统Si IGBT/SiC MOSFET混合器件(HY_M)在不同额定电流等级下损耗与成本的优劣势。仿真结果表明,当额定电流...
2025年2月26日,厦门芯一代集成电路有限公司宣布其获得一项重要专利,专利名称为“一种Si基绝缘栅双极晶体管IGBT结构及其方法”,这标志着该公司在半导体技术领域的一个显著突破。根据国家知识产权局的公告,该专利于2021年8月提交,经过两年的审查和准备,最终获得了授权。这一成果不仅为厦门芯一代的技术积累增添了一笔亮...
近日,厦门芯一代集成电路有限公司因其创新技术获得一项重要专利,专利名称为“一种Si基绝缘栅双极晶体管IGBT结构及其方法”,授予公告号为CN113690194B。这一消息不仅对厦门地区的集成电路产业发展具有重要意义,也为我国在电力电子技术领域的进一步创新注入了新的动力。
铝碳化硅的典型热膨胀系数为7～9ppm/℃,参考芯片的6 ppm/℃,如果再加上芯片下面焊接的陶瓷覆铜板,那么三倍的差异就从本质上消除了。同时铝碳化硅材质的热导率可高达200～235W/mK (25℃),比铝合金热导率还高50。英飞凌试验证明,采用铝碳化硅材料制作的IGBT基板,经过上