如示意图2所示,如果在IGBT的栅极和发射极之间施加驱动正电压,则MOSFET导通,使得PNP晶体管的集电极与基极之间处于低阻状态,从而使晶体管导通;如果IGBT的栅极和发射极之间的电压为0V,则MOSFET截止,切断PNP晶体管的基极电流供给,使晶体管截止。 当IGBT的栅极与发射极之间的电压,即驱动电压过低时,IGBT无法稳定工作。而如...
简述IGBT的擎住效应。答:IGBT内部寄生着一个NPN晶体管和作为主开关器件的PNP晶体管组成的寄生晶闸管,其中NPN晶体管的基极与发射极之间存在体区短路电阻,(2分)P形体区的横向空穴电流会在该电阻上产生压降,相当于对J3结施加一个正向偏压,在额定集电极电流范围内,这个偏压很小,不足以使J3开通,然而一旦J3开通,栅极就...
百度试题 题目IGBT是GTR与MOSFET组成的达林顿结构,一个由MOSFET驱动的厚基区PNP晶体管。 A.正确B.错误相关知识点: 试题来源: 解析 A 反馈 收藏
在IGBT导通后的大部分漏极电流范围内,Id与Ugs呈线性关系。最高栅源电压受最大漏极电流限制,其最佳值一般取为15V左右。 IGBT的开关特性是指漏极电流与漏源电压之间的关系。IGBT处于导通态时,由于它的PNP晶体管为宽基区晶体管,所以其B值极低。尽管等效电路为达林顿结构,但流过场效应管的电流成为IGBT总电流的主要...
三菱电机【论文】一种可提供系统最佳整体性能的先进硅基IGBT芯片 三菱电机【论文】优化元胞设计和采用再氧化工艺的高性能4H-SiC MOSFETs 三菱电机【论文】针对大功率应用的高性能第2代1700V 4H-SiC MOSFET 三菱电机【论文】针对广泛应用领域的SiC功率模块 三菱电机第1讲:功率半导体器件的基本功能和用途 三菱...
时值六月,初夏盎然,生机勃发,翠展微扩建年产300万套IGBT模块项目奠基仪式于6月19日在美丽的嘉善经济技术开发区隆重举行,现场人声鼎沸,彩旗飘飘,热闹非凡。出席仪式的嘉宾有嘉善经济技术开发区管委会副主任于飞燕、天龙股份董事长胡建立、经开同创投资总监章棋维、辰峰资本创始合伙人张超曾、海盐理想总经理王克丰、浙江...
1. 串联IGBT的动态均压技术 1.1 基于驱动信号同步的均压电路工作原理 为了实现串联IGBT动态均压控制,引入图1 所示的同步变压器,将驱动信号相互耦合在一个磁芯上实现驱动同步。图中T是同步变压器,两个绕组变比为1:1,这个变压器连接在驱动单元GDU1、GDU2和Q1、Q2之间,将两路驱动信号耦合。
由于 IGBT输出功率高，发热量大，散热不良将损坏 IGBT 芯片，因此对 IGBT封装而言，散热是关键，必须选用...
简介:该文主要介绍了基于6个IGBT的全桥电路在MATLAB2022a中的Simulink建模与仿真。文中展示了系统仿真结果的多张图片,并简述了三相全桥逆变器的工作原理,包括电路结构和控制IGBT开关状态的方法。全桥电路应用于变频驱动、逆变器、电动汽车和可再生能源领域,实现高效能量转换和精确控制。通过PWM调制,可适应不同应用需求...
为了提高IGBT的工作可靠性及延长其使用寿命,除了集电极-发射极电压、集电极电流等参数的选择上要有一定的裕量外,其驱动电路的优化设计也是极其重要的环节。驱动电路对IGBT的导通压降、开关时间、开关损耗、抗过流能力等性能都有重要的影响, 因此,IGBT驱动电路应具备驱动能力强、抗干扰性能优良等特点并具有过流...