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留在IGBT中的载流子必须支持高dV/dt,因此通常会再次发生更高的载流子提取率,导致更高的IGBT电流,从而导致IGBT损耗。由于IGBT处于开基PNP模式,因此该电流还会引起额外的载流子注入,这将进一步增加IGBT损耗,或者ZCS模式下IGBT损耗的降低没有模型exp(-t/IJhl)预测的那么低。 3、Si/SiC混合开关损耗减少分析 Si/SiC混合...
【#中电青年志# 振华永光高性能Si基IGBT攻关团队:党建引领,硬核攻坚半导体功率器件新高地】振华永光高性能Si基IGBT攻关青年突击队是一支平均年龄34岁的青年团队,致力于高端半导体功率器件设计、制造及产品应用方案开发,团队始终秉承“艰苦创业 无私奉献 团结协作 勇于创新”的三线精神和“创新 务实 和谐 奉献”的永光精神...
金融界2025年2月26日消息，国家知识产权局信息显示，厦门芯一代集成电路有限公司取得一项名为“一种Si基绝缘栅双极晶体管IGBT结构及其方法”的专利，授权公告号CN 113690194 B，申请日期为2021年8月。天眼查资料显示，厦门芯一代集成电路有限公司，成立于2017年，位于厦门市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册...
对于Si IGBT而言,米勒平台电压基本保持不变,如图3所示。考虑到SiC MOSFET的短沟道效应,其漏极电压引起的沟道势垒降低(DIBL)效应明显,米勒平台应为图6所示的“米勒斜坡”[9],根据Qg曲线可以确定米勒平台中Vgs和Qg的变化关系。 图6 SiC MOSFET的Qg曲线
Si基功率器件仿真交..Si基功率器件仿真交流指导( LDMOS SGT SJMOS LIGBT RCIGBT)+SiC(JBS,JFET,MOSFET)
摘要:对由SiC FET与Si IGBT并联组成的新型混合器件(HY_F)开展研究。首先,分析HY_F的基本结构与工作原理,并搭建HY_F的导通损耗模型、开通损耗模型以及关断损耗模型。其次,基于混合器件的仿真模型,分析HY_F与传统Si IGBT/SiC MOSFET混合器件(HY_M)在不同额定电流等级下损耗与成本的优劣势。仿真结果表明,当额定电流...
基于功率系统的SiC MOSFET/Si IGBT栅极参数自动计算匹配，主要依赖于理论分析与测试相结合的方法，具体答案如下：理论分析与计算：米勒平台电压计算：对于SiC MOSFET，米勒平台电压的计算需考虑其短沟道效应，表现为“米勒斜坡”，通过Qg曲线确定Vgs和Qg的变化关系。而Si IGBT的米勒平台电压则相对稳定。米勒...
IGBT的散热基板种类繁多,各有千秋。而铝碳化硅基板的出现,无疑为IGBT的散热问题提供了新的解决思路。思萃热控的成功应用,更是证明了铝碳化硅基板的巨大潜力。相信在未来,铝碳化硅基板将在IGBT散热领域发挥更大的作用。〈芯片散热片厂家如何选? 铝基碳化硅能在哪些领域大显身手?〉 22...
本发明公开了一种基于Si IGBT器件与SiC JFET器件并联组合设计的直流开断装置及控制方法,直流开断装置包含依次电连接的采样模块、光耦隔离模块、单片机控制模块、驱动模块、主开关模块;其中,所述采样模块与主电路相连,所述主开关模块与主电路相连;其控制方法为单片机控制模块根据主电路电流信号与单片机控制模块设定阈值关系...