理论上相同的掺杂浓度， igbt的rdson只有mosfet一半所以碳化硅取代硅基这个假设用雍正王朝十四爷的话回答就...
碳化硅（SiC）MOSFET作为替代传统硅基IGBT的新一代功率器件，在电动汽车、可再生能源、高频电源等领域展现出显著优势，随着国产碳化硅MOSFET技术、成本及供应链都日趋完善，国产SiC碳化硅在电力电子应用中全面取代进口IGBT，助力中国电力电子行业自主可控和产业升级！以下是针对碳化硅MOSFET替代IGBT的常见问题及解答，结合行业...
【硅基心脏革命：中国IGBT芯片撕裂西方技术铁幕，让欧美人最恐惧忌惮的能源命脉掌控者】当株洲中车的8英寸IGBT晶圆片以每分钟200颗的速度下线时，德国英飞凌的慕尼黑总部警报骤响——这场由湖南小镇点燃的“硅基心脏”战役，正在重塑全球电力电子的能量法则。一、价格屠夫：碾碎四国同盟的暴利神话 2018年，一枚进口IGBT芯...
先说结论：碳化硅的发展超预期，会逐渐取代一部分IGBT，但不可能完全替代，未来将与IGBT形成互补的关系。...
以下图表则揭示了在不同工况(UDDS与HWFET)下,逆变器效率的动态差异。由此可见,SiC与硅基IGBT之间确实存在4%-7%的效率差距。 备注:该数据由FEV提供,基于抽象化数据进行对比分析。 ▲图5直观展示了SiC与硅基IGBT的效率差异 这意味着,在仿真与实际测试中,我们均观察到了显著的效率差异。
碳化硅(SiC)MOSFET作为替代传统硅基IGBT的新一代功率器件,在电动汽车、可再生能源、高频电源等领域展现出显著优势,随着国产碳化硅MOSFET技术、成本及供应链都日趋完善,国产SiC碳化硅在电力电子应用中全面取代进口IGBT,助力中国电力电子行业自主可控和产业升级!以下是针对碳化硅MOSFET替代IGBT的常见问题及解答,结合行业现状与技...
$天岳先进(SH688234)$硅基 IGBT 统治了高压高电流场景,而硅基 MOSFET 效率远不如 IGBT,仅适用于低压场景。但硅基 IGBT 也存在一些缺点,比如无法承受高频工况、功耗较大等。而 SiC 耐高压耐高温的特性,使得其仅用结构简单的 MOSFET 器件就能覆盖硅基 IGBT 的耐压水平,同时规避其高能耗的缺点。这意味着 SiC 材...
前言 通过对直流电机、感应电机、同步电机的分析比较，发现永磁同步电机综合性能更好；与采用硅基 IGBT ...
杨承晋则表示，从新能源来看，碳化硅MOSFET和硅基IGBT的需求都在增长，只是增长率不一样，IGBT增长率很高，碳化硅MOSFET更高，二者比翼齐飞。产业链衬底环节价值量最大 据Yole，车用碳化硅需求占全行业的60%，其他代表性行业，光伏、储能、充电基建、电源、轨交等对碳化硅的需求占40%，由此推算，2025全球需要6英寸碳化硅...
G管 IGU04N60T [相关链接] IGU04N60TAKMA1 active and preferred yes yes 2 kHz 20 kHz IGBT TRENCHSTOP™ 600 V 4 A 1.5 V Industrial 0.061 mJ 0.084 mJ IGBT PG-TO251-3 14 ns 7 ns 164 ns 43 ns 27 nC 8 A 12 A no G管 IGB50N65H5 [相关链接] IGB50N65H5ATMA1 active and preferre...