唯样商城为您提供Vishay设计生产的SIR882DP-T1-GE3 元器件,主要参数为:N-Channel 60A(Tc) ±20V 5.4W(Ta),83W(Tc) 8.7mΩ@20A,10V -55°C~150°C(TJ) PowerPAK® SO-8 SOIC-8 100V 60A 8.7mΩ 2.8V,SIR882DP-T1-GE3库存充足,购买享优惠!
品牌:Vishay(威世) 型号: SIR882DP-T1-GE3 商品编号: DS0074832 封装规格: PowerPAK® SO-8 商品描述: 表面贴装型 N 通道 100 V 60A(Tc) 5.4W(Ta),83W(Tc) PowerPAK® SO-8 数据手册 EDA模型 查看详情 原理图符号 封装 商品详情 EDA模型 PDF数据手册 技术文档 供应商器件封装 PowerPAK...
制造商产品型号:SIR882DP-T1-GE3 制造商:Vishay Siliconix 描述:MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个 产品系列:TrenchFET? 零件状态:有源 FET类型:N 通道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):100V 25°C时电流-连续漏极(Id):60A(Tc) 驱动电压(最大RdsOn,最小Rd...
SIR882DP-T1-GE3-VB 价格参考￥ 0 。 VBsemi(微碧) SIR882DP-T1-GE3-VB 封装/规格: DFN8(5X6), 台积电流片,长电封测。DFN8(5X6);N沟道,100V;63A;RDS(ON)=10.3mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2~4V;适用于各种需要中等电压、适中电流和低导通电阻的应用领域,为不同领域的模块提供了可靠的功率开关解决方...
爱企查为您提供SIR882DP-T1-GE3原厂代理渠道 自有库存,深圳市洲川科技有限公司售卖商品,可电话联系商家或留言询价。价格;行情报价;图片;厂家;品牌-VISHAY;封装-PowerPAK? SO-8;批号-21+;数量-3000;制造商-Vishay;产品种类-MOSFET;RoHS-是;技术-Si;安装风格-SM
商品型号:SIR882DP-T1-GE3 产品状态:在售 封装规格:PowerPAK® SO-8 数据手册: DATASHEET 商品编号:L103230664 商品参数 近似物料 商品类目 场效应管(MOSFET) 品牌 VISHAY(威世) 封装规格 PowerPAK® SO-8 包装 整包装 FET类型 N通道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 100V 25℃时电流-连...
Trans MOSFET N-CH 100V 17.6A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Tape and Reel (Alt: SIR882DP-T1-GE3) RoHS: Compliant 搜索 日本2号仓库仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货 型号制造商描述操作 ...
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商品型号:SIR882DP-T1-GE3 产品状态:在售 封装规格:PowerPAK® SO-8 数据手册: DATASHEET 商品编号:L103230664 商品参数 近似物料 商品类目 场效应管(MOSFET) 品牌 VISHAY(威世) 封装规格 PowerPAK® SO-8 包装 整包装 FET类型 N通道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 100V 25℃时电流-连...