SIR876ADP-T1-GE3 功率MOSFET ±20V 5W(Ta),62.5W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 40A 10.8mΩ 2.8V 图像仅供参考 请参阅产品规格 图片丝印不一定为本产品 对比推荐 制造商编号SIR876ADP-T1-GE3 制造商Vishay(威世) 授权代理品牌
Vishay SIR876ADP-T1-GE3 - 属性参数 Attributes Table Fet Type:N-Ch Drain-to-Source Voltage [Vdss]:100V Drain-Source On Resistance-Max:14.5mΩ Rated Power Dissipation:62.5|W Qg Gate Charge:16.3nC 封装类型:SOIC-8 安装方式:Surface Mount ...
Trans MOSFET N-CH 100V 15.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Tape and Reel (Alt: SIR876ADP-T1-GE3) RoHS: Compliant 搜索 SIR876ADP-T1-GE3 [更多]Vishay Intertechnologies Trans MOSFET N-CH 100V 15.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R (Alt: SIR876ADP-T1-GE3) ...
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制造商编号 SIR876ADP-T1-GE3 制造商 Vishay(威世) 授权代理品牌 唯样编号 B-SIR876ADP-T1-GE3-0 供货 富昌电子 代购 无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs 描述 Single N-Channel 100 V 14.5 mOhm Surface Mount TrenchFET Power Mosfet - SOIC-8...
制造商编号 SIR876ADP-T1-GE3 制造商 Vishay(威世) 授权代理品牌 唯样编号 B-SIR876ADP-T1-GE3-1 供货 富昌电子 代购 无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs 描述 Single N-Channel 100 V 14.5 mOhm Surface Mount TrenchFET Power Mosfet - SOIC-8...
SIR876ADP-T1-GE3 功率MOSFET ±20V 5W(Ta),62.5W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 40A 10.8mΩ 2.8V 图像仅供参考 请参阅产品规格 图片丝印不一定为本产品 对比推荐 制造商编号SIR876ADP-T1-GE3 制造商Vishay(威世) 授权代理品牌
SIR876ADP-T1-GE3 功率MOSFET ±20V 5W(Ta),62.5W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 40A 10.8mΩ 2.8V 图像仅供参考 请参阅产品规格 图片丝印不一定为本产品 对比推荐 制造商编号SIR876ADP-T1-GE3 制造商Vishay(威世) 授权代理品牌