型号: SIR836DP-T1-GE3 封装: QFN8 批号: 16+ 数量: 1 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: PowerPAK-SO-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 40 V Id-连续漏极电流: 21 A Rds On-漏源导通电阻: 19 mOhms Vgs - 栅极...
SIR836DP-T1-GE3由JSMSEMI/杰盛微设计生产,在华秋商城现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 SIR836DP-T1-GE3 价格参考￥ 0 。 JSMSEMI/杰盛微 SIR836DP-T1-GE3 封装/规格: DFN5060-8L, 。你可以下载 SIR836DP-T1-GE3 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有详细引脚图及功能的应用电...
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