SIR422DP-T1-GE3 丝印R422 DFN8 全新原装 40V/40A 场效应MOS管IC 深圳市繁芯闪烁科技有限公司 2年 月均发货速度: 暂无记录 广东 深圳市 ¥2.28 SIR422DP-T1-GE3 SOP-8 晶体管 原厂原装 深圳市科永邦电子有限公司 15年 月均发货速度: 暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥2.00 MOS管 SIR...
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型号: SIR422DP-T1-GE3 封装: PAKSO-8 批号: 2021+ 数量: 658900 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: PowerPAK-SO-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 40 V Id-连续漏极电流: 20.5 A Rds On-漏源导通电阻: 6.6 mOhms ...
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SIR422DPT1GE详细参数说明 极性 N沟道 额定电压 40V 额定电流 75A 导通电阻 4.7mΩ @ 10V, 6mΩ @ 4.5V 门源电压 20Vgs (±V) 阈值电压 1.9Vth (V) 封装类型 DFN8 (5X6)应用简介 SIR422DPT1GE3是一款N沟道MOSFET,适用于各种电源管理和功率放大器应用。具有较高的额定电压和额定电流特性,能够提供可靠...
型号 SIR422DP-T1-GE3 PDF资料 .pdf 下载 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页价格为准。 抢购价...
Vgs(最大值) ±20V 功率耗散(最大值) 5W(Ta),34.7W(Tc) 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 表面贴装型 封装/外壳 PowerPAK® SO-8 可售卖地 全国 类型 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 型号 SIR422DP-T1-GE3 技术...
重要属性 行业属性 D/C 24+ 封装 Through Hole/Surface Mount 其他属性 封装/外壳 Through Hole/Surface Mount 安装类型 Through Hole/Surface Mount 描述 * 型号 SIR422DP-T1-GE3 原产地 China 品牌 Original 工作电压范围(V) * 电流 * 配置 * 电压- 隔离 * 系列 * 展开 交货时间...
描述 N沟道,40V,10A,6.6mΩ@10V 品牌名称VISHAY(威世) 商品型号 SIR422DP-T1-GE3 商品编号 C21104 商品封装 PowerPAK-SO-8 包装方式 编带 商品毛重 0.245克(g) 商品参数 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)40V ...