SIR872DP-T1-GE3 功率MOSFET ±20V 6.25W(Ta),104W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 150V 53.7A 18mΩ 图像仅供参考 请参阅产品规格 图片丝印不一定为本产品 对比推荐 制造商编号SIR872DP-T1-GE3 制造商Vishay(威世) 授权代理品牌...
系列 SIR 宽度 5.15 mm 单位重量 506.600 mg 可售卖地 全国 型号 SIR872DP-T1-GE3 PDF资料 电子管-场效应管-SIR872DP-T1-GE3-VISHAY/威世-QFN-18+.pdf 下载 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化...
SIR872DP-T1-GE3由VISHAY(威世)设计生产,立创商城现货销售,正品保证,参考价格￥7.8,封装为PowerPAKSO-8。商城还提供SIR872DP-T1-GE3专业中文资料、详细参数、引脚图、PCB焊盘图,典型应用图,Datasheet数据手册等资料查询和免费下载。参数:类型:1个N沟道;漏源电压(Vd
型号 SIR872DP-T1-GE3 产品详情 技术参数 品牌: VISHAY 型号: SIR872DP-T1-GE3 批号: 13+ 封装: QFN 数量: 1635 QQ: 2355656828 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: PowerPAK-SO-8 商标名: TrenchFET, PowerPAK 高度: 1.04 mm 长度: 6.15 mm 系...
SIR872DP-T1-GE3 已下架 功率MOSFET ±20V 6.25W(Ta),104W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 150V 53.7A 18mΩ 图像仅供参考 请参阅产品规格 图片丝印不一定为本产品 对比推荐 制造商编号SIR872DP-T1-GE3 制造商Vishay(威世) 授权代理品牌...
制造商编号 SIR872DP-T1-GE3 制造商 Vishay(威世) 授权代理品牌 唯样编号 A-SIR872DP-T1-GE3 供货 自营 无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs 描述 SiR872DP Series N-Channel 150 V 0.0200 Ohm 104 W SMT Mosfet - PowerPAK SO-8分享: 数据手册 发送到邮箱 PDF资料下载 SIR872DP-T1-GE3.pdf ...