零件号别名 SIR882ADP-GE3 单位重量 506.600 mg 可售卖地 全国 型号 SIR882ADP-T1-GE3 PDF资料 电子管-场效应管-SIR882ADP-T1-GE3-VISHAY/威世-SOP8-20+.pdf 下载 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发...
SIR882ADP-T1-GE3.pdf 参数信息 商品简介 常见问题 参数有误? 技巧:勾选主要参数,留空一些可替代的参数,点击查看相似商品,即可快速找到替代品了! 参数参数值操作 商品目录 功率MOSFET 系列 SI 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 250µA 不同Vgs...
SIR882ADP-T1-GE3由VISHAY(威世)设计生产,立创商城现货销售。SIR882ADP-T1-GE3价格参考￥11.12。VISHAY(威世) SIR882ADP-T1-GE3参数名称:类型:1个N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):60A;耗散功率(Pd):5.4W;阈值电压(Vgs(th)):1.2V;栅极电荷量(Qg):19
T A = 25 °C 5.4b, c T A = 70 °C 3.4b, c Operating Junction and Storage Temperature Range T J , T stg - 55 to 150 °C Soldering Recommendations (Peak Temperature)d, e 260THERMAL RESISTANCE RATINGS Parameter Symbol Typical Maximum Unit Maximum Junction-to-Ambient b, f t...
SIR882ADP-T1-GE3 暂无SIR882ADP-T1-GE3 的描述信息! SIR882ADP-T1-GE3国产替代产品 SIR882ADP-T1-GE3采购批发价格 SIR882ADP-T1-GE3 PDF文档 型号厂商大小 SIR882ADP-T1-GE3 VISHAY/威世 0.13M 下载 相关资料 SIR882ADP-T1-GE3相关资讯
场效应管 SIR882ADP-T1-GE3 R882A MOS管 SIR882ADP PAKSO-8 现货 深圳市灿裕盛电子有限公司 10年 月均发货速度: 暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥3.00 SiR882ADP DFN5*6 N沟道场效应管 100V 60A MOS管 深圳市绿微科技有限公司 2年 月均发货速度: 暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥...
SIR882ADP-T1-GE3详细参数资料 已下架 功率MOSFET ±20V 5.4W(Ta),83W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 60A 8.7mΩ 2.8V 图像仅供参考 请参阅产品规格图片丝印不一定为本产品 对比 推荐 制造商编号 SIR882ADP-T1-GE3 制造商 Vishay(威世) 授权代理品牌 唯样编号 A36-SIR882ADP-T1-...