而發展出Silicide製程; 為了降低 CMOS元件閘級的寄生電阻 Rg,而發展出 Polycide 製程 ; 在更進步的製程中把 Silicide 與 Polycide 一起製造,而發展出所謂 Salicide 製程。
POLYCIDE 是不会有这种情况的。 2.一般的掺杂物在 SALICIDE 中的扩散速度极快,所以在多晶中的掺杂物 很容易进入 salicide 而流串到其他地方,多晶硅也因掺杂物流失会有空乏现 场产生。对于 CMOS 的应用,则会有 P 型和 N 型掺杂物的相互污染导致 VT 的变 化,严重影响电路运行。有时需要在进行 SALICIDE 之前...
其中,SILICIDE就是金属硅化物,是由金属和硅经过物理-化学 反应形成的一种化合态,其导电特性介于金属和硅之间,而POLYCIDE和SALICIDE则是分别 指对着不同的形成SILICIDE的工艺流程,下面对这两个流程的区别简述如下: POLYCIDE: 其一般制造过程是,栅氧化层完成以后,继续在其上面生长多晶硅(POLY-SI), 然后在POLY上继续...
POLYCID亳不会有这种情况的2 .一般的掺杂物在SALICID叶的扩散速度极快, 6、所以在多品中的掺杂物很容易进入salicide而流用到其他地方,多晶硅也因掺杂物流失会有空乏现场产生。对于CMOS的应用,则会有P型和N型掺杂物的相互污染导致VT的变化,严重影响电路运行。有时需要在进行SALICID之前,往多品里面掺入N什么的。
n. compound,chemical compound 联想词 nitride氮化物;oxide氧化物;dielectric电介质;semiconductor半导;boron;anode极;silicon硅;electrode电极;carbide碳化物;oxides氧化物;substrate底面,基底; 英语例句库 and we found the Salicide process compatible the Silicide and Polycide process in the advanced process. ...
Fig. 8.7. (A) Process to form silicide on poly-Si by reacting with metal and fully consume Si. (B) diagram for the use of dopant segregation at the interface to control Ef. Some of the important characteristics need for design of devices are given in Tables 8.3 and 8.4. Those character...
其中,SILICIDE就是金属硅化物,是由金属和硅经过物理-化学反应形成 的一种化合态,其导电特性介于金属和硅之间,而POLYCIDE和SALICIDE则是 分别指着不同的形成SILICIDE的工艺流程,下面对这两个流程的区别简述如下: POLYCIDE:其一般制造过程是,栅氧化层完成以后,继续在其上面生长多晶 硅(POLY-SI),然后在POLY上继续生...
Salicide / Polycide 使用条件?Salicide / Polycide 使用条件?半导体技术天地3N6U*H4f-o7z#b9N;v;T 半导体,芯片,集成电路,设计, 版图,晶圆,制造,工艺,制程,封装,测试,wafer,chip,ic,design,eda,fabrication,process,layout,package,test,FA,RA,QA,photo,etch,implant,diffustion,lithography,fab,fabless8c:r;...
Chapter 1 Introduction ª÷Äݪ¿¤Æª«(Silicide)ªº§Þ³N¤§©Ò¥H±o¨ì¤j®aªºª`·N¡A¥D-n¬O¦]¬°ª÷Äݪ¿¤Æª«¯à°÷-°§C¹q´¹Åé¦b¹h·¥¡B·½·¥©M¨V·¥ªº±µ...
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