利用射频溅射法在 Si 衬底上制备了 SiC 薄膜 ,并利用 x 射线衍射 ( XRD) 和红外 ( IR) 吸收谱对薄膜的结构 、 成分 ) 及化学键合状态进行了分析 . XRD 结果表明 ,低温制备的 SiC 薄膜为非晶相 , 而在高温下 ( > 800 ℃ , 薄膜呈现 4H2 膜的表面形貌进行了研究 ,并研究了样品的场发射特性 . 关键...
碳化硅(Carbide Silicon,简写为SiC)是一种广泛应用于电子、光电子和高温领域的材料。它具有高温稳定性、强度高、化学惰性强等优点,因此被广泛应用于高温电子、光电子、生物医学和光伏等领域。SiC晶体结构主要包括4H-SiC和6H-SiC,下面我将详细介绍这两种结构。 首先,我们来看4H-SiC结构。4H-SiC是一种晶体结构,其晶胞...
在多种应用中,4H SiC 引起了电力电子领域的特别关注,因为与传统硅基器件相比,4H SiC 具有固有的优势,例如更高的工作温度和更低的开关损耗。另一方面,对 SiC 中各种晶体缺陷密度的有限工艺控制,包括基面位错(BPD) 和堆垛层错(BSF),可能会严重影响器件良率。同步加速器 X 射线形貌 (XRT) 已应用于 PVT 生长的 ...
SiC 晶体有着多种具有代表性的多型体,像 3C 型、4H 型以及 6H 型等等。这里面的数字代表的是沿着堆积方向一周期内的碳硅双原子层数,而字母 C 表示立方晶系(cubic),H 则代表六方晶系(hexagonal)。在 SiC 晶体的制造过程中,温度等条件的不同会决定最终所形成的多型体种类。例如,上图展示了 4H 型 SiC 的...
碳化硅(SiC)具有高电子饱和漂移速度、优异的热导率和稳定性,是用于光电检测的理想材料。当前基于SiC的光电探测器多数面临着制造工艺繁琐、成本高昂、结构复杂以及需要外部电源等局限性。若能利用半导体本身特性来实现自供电而不是利用外部电源或传统电池驱动,就能在简化电路设计的同时保证设备的稳定使用,这将为下一代光电...
4H SiC 中晶体缺陷的准确表征对于增进对晶体生长的基本了解、改进过程控制和实现成功的工业应用至关重要。在多种应用中,4H SiC 引起了电力电子领域的特别关注,因为与传统硅基器件相比,4H SiC 具有固有的优势,例如更高的工作温度和更低的开关损耗。 另一方面,对 SiC 中各种晶体缺陷密度的有限工艺控制,包括基面位错 ...
然而,碳化硅单晶衬底的制备技术具有极高的技术壁垒,晶体生长过程需要在高温低压环境下进行,环境变量多,极大影响了碳化硅产业化应用。采用已经产业化的物理气相输运法(PVT)难以生长p型4H-SiC和立方SiC单晶。而液相法在p型4H-SiC和立方SiC单晶单晶生长就有独特的优势,为制作高频、高压、大功率IGBT器件和高可靠性、高...
利用射频溅射法在Si衬底上制备了SiC薄膜,并利用x射线衍射(XRD)和红外(IR)吸收谱对薄膜的结构,成分及化学键合状态进行了分析.XRD结果表明,低温制备的SiC薄膜为非晶相,而在高温下(>800℃),薄膜呈现4HSiC和3CSiC结晶相.IR谱显示,溅射制备薄膜的吸收特性主要为Si—C键的吸收.此外,还利用原子力显微镜对薄膜的表面形貌...
分子动力学仿真(Molecular Dynamics,MD)是研究原子间相互作用关系和运动的有效手段,常被用于各种机械加工过程的模拟,特别是用于研究纳米级或原子级加工中的材料变形和去除机制。近期,华侨大学和利物浦约翰摩尔斯大学的联合培养博士生田子歌、利物浦约翰摩尔斯大学的陈迅教授,和华侨大学的徐西鹏教授在《极端制造》期刊(...
然而,碳化硅单晶衬底的制备技术具有极高的技术壁垒,晶体生长过程需要在高温低压环境下进行,环境变量多,极大影响了碳化硅产业化应用。采用已经产业化的物理气相输运法(PVT)难以生长p型4H-SiC和立方SiC单晶。而液相法在p型4H-SiC和立方SiC单晶单晶生长就有独特的优势,为制作高频、高压、大功率IGBT器件和高可靠性、高...