利用射频溅射法在 Si 衬底上制备了 SiC 薄膜 ,并利用 x 射线衍射 ( XRD) 和红外 ( IR) 吸收谱对薄膜的结构 、 成分 ) 及化学键合状态进行了分析 . XRD 结果表明 ,低温制备的 SiC 薄膜为非晶相 , 而在高温下 ( > 800 ℃ , 薄膜呈现 4H2 膜的表面形貌进行了研究 ,并研究了样品的场发射特性 . 关键...
王中林院士/朱来攀副研究员《AM》:基于4H-SiC中热光电子效应增强的高灵敏度光电检测和成像! 碳化硅(SiC)具有高电子饱和漂移速度、优异的热导率和稳定性,是用于光电检测的理想材料。当前基于SiC的光电探测器多数面临着制造工艺繁琐、成本高昂、结构复杂以及需要外部电源等局限性。若能利用半导体本身特性来实现自供电而...
在多种应用中,4H SiC 引起了电力电子领域的特别关注,因为与传统硅基器件相比,4H SiC 具有固有的优势,例如更高的工作温度和更低的开关损耗。另一方面,对 SiC 中各种晶体缺陷密度的有限工艺控制,包括基面位错 (BPD) 和堆垛层错 (BSF),可能会严重影响器件良率。同步加速器 X 射线形貌 (XRT) 已应用于 PVT 生长...
碳化硅(Carbide Silicon,简写为SiC)是一种广泛应用于电子、光电子和高温领域的材料。它具有高温稳定性、强度高、化学惰性强等优点,因此被广泛应用于高温电子、光电子、生物医学和光伏等领域。SiC晶体结构主要包括4H-SiC和6H-SiC,下面我将详细介绍这两种结构。 首先,我们来看4H-SiC结构。4H-SiC是一种晶体结构,其晶胞...
4H SiC 中晶体缺陷的准确表征对于增进对晶体生长的基本了解、改进过程控制和实现成功的工业应用至关重要。在多种应用中,4H SiC 引起了电力电子领域的特别关注,因为与传统硅基器件相比,4H SiC 具有固有的优势,例如更高的工作温度和更低的开关损耗。 另一方面,对 SiC 中各种晶体缺陷密度的有限工艺控制,包括基面位错 ...
近年来,由于SiC材料具有优良的物理性质和化学性质,尤其是较高的载流子浓度、高的载流子迁移率以及较高的击穿场强等特点,使其成为了广泛研究和应用的热点材料之一。在众多的SiC晶体结构中,4H-SiC是其中应用最广泛的一种。 4H-SiC厚膜外延技术是基于晶体外延技术发展起来的一种技术。该技术通过在晶体基底上沉积一层或多...
碳化硅(SiC)是一种第三代半导体材料,由于其优质的材料特性,被广泛应用于微电子,光电子,航空航天和能源等领域。作为碳化硅衬底加工的最后步骤,超精密抛光是获得超光滑,超平整,无损伤的衬底表面的有效方法。分子动力学仿真(Molecular Dynamics,MD)是研究原子间相互作用关系和运动的有效手段,常被用于各种机械加工过程的模拟...
本发明属于sic材料高温制备,具体涉及一种4h-sic及其超快速的制备方法和应用。 背景技术: 1、sic材料具有密度低、硬度高、热导率高、禁带宽度大、载流子饱和迁移速度高和临界击穿场强高等诸多优异的性质,作为结构陶瓷材料以及半导体材料,已经应用于航天军工、热核能源、光电传输和大功率半导体等众多领域。在sic的主要分类...
近年来,由于SiC材料具有优良的物理性质和化学性质,尤其是较高的载流子浓度、高的载流子迁移率以及较高的击穿场强等特点,使其成为了广泛研究和应用的热点材料之一。在众多的SiC晶体结构中,4H-SiC是其中应用最广泛的一种。 4H-SiC厚膜外延技术是基于晶体外延技术发展起来的一种技术。该技术通过在晶体基底上沉积一层或多...
4H-SiC是碳化硅中最有前景的结构之一,具有高热导率、较高的击穿场强和较低的漏电流等优点。因此,研究人员对4H-SiC材料的低压同质外延生长和器件验证非常感兴趣。 低压同质外延生长是制备高质量4H-SiC晶体的关键技术之一。这种方法在减小杂质浓度和缺陷密度方面具有独特的优势。通过在石英室中使用碳源和硅源,可以在硅...