SiC MOSFET作为第三代功率半导体器件,以其阻断电压高、工作频率高,耐高温能力强、通态电阻低和开关损耗小等特点,在新能源汽车应用中,有着更高的效率、更高的功率密度和更优的性能,特别是在800 V电池系统和大电池容量中,它可提高逆变器的效率,从而延长续航里程或降低电池成本;在光伏领域,SiC MOSFET器件在轻载情况...
求是8寸单片式碳化硅外延炉SiCEP-200A控制系统软件是由浙江求是半导体设备有限公司著作的软件著作,该软件著作登记号为:2025SR0096633,属于分类,想要查询更多关于求是8寸单片式碳化硅外延炉SiCEP-200A控制系统软件著作的著作权信息就到天眼查官网!
碳化硅MOS电压650V~1200V~1700V~3300V更高至6500V,单管电流1A-200A(国产晶圆/SiC模块) 9 个月前 nazimi 哪些公司的景观设计图纸质量高关注碳化硅MOS电压650V~1200V~1700V~3300V更高至6500V,单管电流1A-200A(国产晶圆/SiC模块)碳化硅MOS电压650V~1200V~1700V~3300V更高至6500V,单管电流1A-200A(国产晶...
Silicon carbide (SiC) module with high power, high frequency, large current characteristics, has received extensive attention in the new energy vehicles, the new energy power generation, the smart grid and other fields. Electrical characteristics of the 1200V/200A SiC module are analyzed by the ...
碳化硅MOS具有高耐压特性，适用于高电压应用场景，其高击穿电场使其耐压能力较强。同时，碳化硅MOS具有大电流密度，能够承受更大的电流。此外，碳化硅MOS还具有高工作频率和良好的热稳定性，使其在高温环境下仍能保持良好的性能。作为第三代功率半导体器件，SiC MOSFET以其阻断电压高、工作频率高、耐高温能力...
该方法通过采集C/SiC复合材料加工表面的图像并提取灰度信息来进行粗糙度测量.关键是图像的处理和灰度信息与粗糙度关系的建立.本发明利用matlab进行图像的灰度化,局部灰度值修正和灰度信息的提取,通过多个试样的灰度信息和粗糙度数据建立灰度与粗糙度的关系.该方法的优点是非接触,无损伤,同时解决了C/SiC材料表面由于存在...
该电源模块采用新的 CoolSiCTM 汽车 MOSFET 1200V,针对电动传动系统应用进行了优化。 FET 功能:碳化硅(SiC) 漏源电压(Vdss):1200V(1.2kV) 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200A 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:AG-HYBRIDD-2
FET 功能:碳化硅(SiC) 漏源电压(Vdss):1200V(1.2kV) 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200A 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:AG-HYBRIDD-2 特性 4.2kV DC 1sec 绝缘 高爬电距离和电气间隙 紧凑的设计 高功率密度 直冷PinFin底板 ...