东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出业界首款[1]2200V双碳化硅（SiC）MOSFET模块---“MG250YD2YMS3”。新模块采用东芝第3代SiC MOSFET芯片，其漏极电流（DC）额定值为250A，适用于光伏发电系统和储能系统等使用DC 1500V的应用。该产品于今日开始支持批量出货。类似上述的工业应用通常使用DC ...
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")开发出业界首款[1]工业设备用2200V双碳化硅(SiC) MOSFET模块“MG250YD2YMS3 ”。新模块的漏极电流(DC)额定值为250A，并采用该公司的第三代SiC MOSFET芯片。它适用于使用DC1500V的应用，如光伏发电系统和储能系统。批量出货于即日起启动。类似上述的工...
2.支持0.5N-300N大键合力加热焊头方案 3.三段式工作轨道独立控制,可独立处理各阶段产品 4.视觉采用CMOS摄像头和RGB光源适配更多不同种类的基材芯片 5.支持设备联网、SECS/GEM协议 设备型号 MX2200 设备性能 System Capability 设备精度 XY Placement±10μm ...
东芝开发出业界首款2200V双碳化硅(SiC)MOSFET模块 据外媒报道,通用汽车旗下的自动驾驶子公司Cruise准备在华盛顿州西雅图部署一小批自动驾驶(AV)出租车,最初部署的车辆将包括安全驾驶员。 2016年,通用汽车收购了Cruise。Cruise一直致力于为城市开发自动驾驶网约车,它拥有世界上规模最大的全电动自动驾驶汽车车队,是第一...
(可选)安装SIM卡到单板-SIC 背景信息 此安装方式适用于SIC-3G/LTE功能的单板,安装SIM卡到单板的方法相同,此处以安装SIM卡到3G-HSPA+7单板举例说明。 不建议使用卡套形式,以防止SIM卡接触不良。 设备不支持热插拔SIM卡。重新拔插SIM卡后需要重启射频模块或者重启设备。 设备SIM卡拔出或安装完成后,必须确保SIM卡的...
2E1/T1-M单板是路由器的数据和语音处理模块,提供2个CE1/CT1/PRI/VE1接口,实现高密度广域网互联、WAN汇聚、数字和模拟语音连接以及拨号连接功能。 2E1/T1-M单板安装在设备的SIC槽位上。 2E1/T1-M单板外观如图6-51所示。 图6-512E1/T1-M单板外观图 ...
江丰电子表示，六方科技聚焦碳化硅涂层技术的研发及其在半导体产业中的应用，其主要产品包括SiC涂层石墨托盘及其他部件等。公司本次交易的目的是助力公司进一步完善产业布局，加快公司战略的实施。同时，公司本次投资六方科技拟使用现金出资，资金来源于公司自有或自筹资金，短期内不会对公司的财务状况和经营成果产生显著影响...
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5.碳化硅又称金刚砂(SiC),它的分解温度很高(约2200°C),硬度极大,溶解性很差,性质很稳定。由此推断,下列物质中可能与它有相似结构的是( ) A. 晶体硅 B. 硅酸 C. 干冰 D. 水玻璃 相关知识点: 从实验学化学 化学实验基本方法 化学实验安全 加热实验仪器操作与安全 加热操作与安全 试题来源: 解析 A ...