Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")开发出业界首款[1]工业设备用2200V双碳化硅(SiC) MOSFET模块“MG250YD2YMS3 ”。新模块的漏极电流(DC)额定值为250A，并采用该公司的第三代SiC MOSFET芯片。它适用于使用DC1500V的应用，如光伏发电系统和储能系统。批量出货于即日起启动。类似上述的工...
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出业界首款[1]2200V双碳化硅（SiC）MOSFET模块---“MG250YD2YMS3”。新模块采用东芝第3代SiC MOSFET芯片，其漏极电流（DC）额定值为250A，适用于光伏发电系统和储能系统等使用DC 1500V的应用。该产品于今日开始支持批量出货。类似上述的工业应用通常使用DC ...
2023年8月29日,东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出业界首款[1]2200V双碳化硅(SiC)MOSFET模块---“MG250YD2YMS3”。新模块采用东芝第3代SiC MOSFET芯片,其漏极电流(DC)额定值为250A,适用于光伏发电系统和储能系统等使用DC 1500V的应用。该产品于今日开始支持批量出货。 类似上述的工业应用...
8月30日消息,东芝电子元件及存储装置株式会社今日宣布,推出业界首款2200V双碳化硅MOSFET模块——“MG250YD2YMS3”。 新模块采用东芝第3代SiC MOSFET芯片,其漏极电流额定值为250A,适用于光伏发电系统和储能系统等使用DC 1500V的应用。该产品于今日开始支持批量出货。
东芝开发出业界首款2200V双碳化硅(SiC)MOSFET模块 据外媒报道,通用汽车旗下的自动驾驶子公司Cruise准备在华盛顿州西雅图部署一小批自动驾驶(AV)出租车,最初部署的车辆将包括安全驾驶员。 2016年,通用汽车收购了Cruise。Cruise一直致力于为城市开发自动驾驶网约车,它拥有世界上规模最大的全电动自动驾驶汽车车队,是第一...
2025年我们将推出第四代平面TOPSiCTMMOSFET技术平台和沟槽TOPSiCTMMOSFET技术平台,产品额定电压扩展至2200V以上。积极引入多家战略合作伙伴,进行技术等多方面的协同创新,用先进的碳化硅技术推动电力电子系统的创新和产业升级。 转发,点赞,在看,安排一下 其他人都在看: ...
另一方面,中低压(650-2200V) 平面栅 SiC MOSFET 结构中,沟道电阻占总导通电阻比例较高,但是随着电压提升到 3300V-6500V 以上,漂移区厚度会增加,导致 JFET 区电阻和外延漂移区电阻占比显著增大,而引入超结技术可以在不增加外延层厚度的同时降低漂移电阻。
使用STPOWER SiC MOSFET创建比以往更高效、更紧凑的系统借助SiC MOSFET,将创新宽带隙材料(WBG)的优势融入下一个设计。意法半导体的碳化硅MOSFET具有650至2200 V的扩展电压范围,是先进的技术平台之一,具有出众的开关性能和极低的单位面积导通电阻。我们的SiC MOSFET的主要特点包括:...
公开资料显示,无锡利普思半导体有限公司成立于2019年,主要产品包括新能源汽车和工业用的高可靠性SiC和IGBT模块。利普思透露其2200V碳化硅模块在内的一系列新产品预计也将很快投入市场。 芯塔电子: SiC MOSFET器件即将量产 芯塔电子自主研发的1200V/80mΩ TO-263-7封装SiC MOSFET器件已成功获得第三方权威检测机构(广...
目前,在中低压应用领域(600V-1200V) SiC功率器件的外延生长已经比较成熟,甚至1500V-2200V的SiC外延也已开始规模量产,许多企业的厚度均匀性、掺杂浓度均匀性以及缺陷分布可以做到相对较优的水平,基本可以满足中低压SiC二极管、SiC MOSFET等器件需求。但中高压SiC外延片需要攻克的难关还很多,例如万伏级 SiC 器件通常的...