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sic模块采用碳化硅原料,产品特性为碳化物粉末。上海产地的高品质碳化硅粉末被广泛应用于钢铁脱氧剂领域。其特点在于长使用寿命和出色的性能。店内产品高纯微纳米粉,质量品质严控出厂,颜色通常为黑色。支持定制,满足客户的特殊需求。此外,店内提供全面的售后服务和技术支持,如咨询服务、技术开发和技术服务等。如果您对sic模...
Si-SiC的含量分析汕头大学海洋科学、生物学、生物与医药等3个专业接受调剂15 468122/2 返回列表 上一页 1 2 查看: 2112 | 回复: 14 只看楼主@他人 存档 新回复提醒 (忽略) 收藏 在APP中查看 相关版块跳转 材料综合 我要订阅楼主 yuenan314 的主题更新 ...
相比之下,SiC-MOSFET可在更宽的范围内保持低导通电阻。 此外可以看到,与150℃时的Si-MOSFET特性相比,SiC、Si-MOSFET的特性曲线斜率均放缓,因而导通电阻增加。但是SiC-MOSFET在25℃时的变动很小。在25℃环境下特性相近的产品,差距变大,温度增高时SiC-MOSFET的导通电阻变化较小。 2.关断损耗特性 前面多次提到过,SiC...
SiC泡沫/Al双连续相复合材料 页数:125 ISBN:9787122435682 豆瓣评分 目前无人评价 评价: 写笔记 写书评 加入购书单 分享到 当前版本有售· ··· 京东商城 56.30元 购买纸质书 中图网 58.70元 购买纸质书 + 加入购书单 二手市场· ···
SIC(碳化硅)衬底是一种高温、高压下制造出来的半导体材料,由于其良好的热性能和机械性能而成为微电子器件中应用广泛的衬底材料之一。SIC衬底的生产工艺是一个非常复杂的过程,需要经过多个步骤才能制造出符合标准的SIC衬底材料。 第一步,是挑选合适的原料。制造SIC衬底材料需要的原材料是碳和高纯度的硅。两者必须都是高...
本文以金鉴自研发的显微红外定位系统来定位漏电失效的SiC MOSFET芯片,并与OBIRCH对比定位效果,然后用FIB做定点截面切割,观察到金属化薄膜铝条被熔断。 案例分析: 据客户反馈,应用于新能源汽车SiC MOSFET器件芯片部分出现电学失效现象:共16个器件,其中5个正常,11个失效。其中失效情况:芯片漏电,及部分芯片烧毁,送测样品...
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专利权项:1.一种方法,包括:测量SiC超结器件的超结区1的至少一个特性,其中,所述超结区1布置在半导体本体100中并且包括第一掺杂类型的多个第一区11和与所述第一掺杂类型互补的第二掺杂类型的多个第二区12;以及在掺杂过程中在所述超结区1中产生一种掺杂类型的类掺杂剂缺陷,其中,根据至少一个测量的特性来调节所...
《[历史]将军,请吃糖》分卷阅读122 “别伤心了,这也许是这小子的命数合该如此,哎,本想传授曹操这小子几招,得被人家烧得胡子都快没了,即然你不喜欢他,那算了吧,合该他没这命数,谁让他得罪了我家小神仙的”,韩信把华佗的头从顾岳手里拿走,施个法埋在地里,心疼地搂过了哭得梨花带雨的小神仙。