现如今,已实现商业化的SiC功率器件主要有SiC肖特基二极管(SBD)和SiC金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)。 2.1 SiC SBD SiC SBD作为单极器件,无少数载流子存储,几乎表现出理想的反向恢复特性,非常适合低开关损耗且高频开关工作应用。如图2-1所示为SiC肖特基二极管的结构示意图,其中SiC JBS和MPS结构为主流产品设计...
最初,SiC肖特基二极管采用基本肖特基势垒二极管(SBD)结构。sicsbd的设计涉及到一个单一的金属-半导体结,这很容易让位于现场有问题的操作,因为该结处的表面缺陷使得二极管随着时间的推移容易增加泄漏电流,最终导致器件故障。通过采用更复杂的结构设计,最新的SiC肖特基二极管能够防止SiCSBD中普遍存在的破坏性泄漏电流。 JBS模...
[1]改进型结势垒肖特基（JBS）结构：该结构将混合式PiN肖特基（MPS）结构（可在大电流下降低正向电压）整合在JBS结构（不仅可降低肖特基接口的电场，而且还可减少电流泄漏）中。[2] 在1200 V SiC SBD中。截至2024年9月的东芝调查。如需了解新产品的更多信息，请访问以下网址：TRS10H120H https://toshiba-semicon...
最早的SiC肖特基二极管采用纯肖特基势垒二极管(SBD)结构。后来,它发展成为一种具有低反向泄漏电流的结型势垒肖特基(JBS)结构。最新的结构称为合并式PN肖特基(MPS),其浪涌电流处理能力大大提高。 WeEn Semiconductors于2014年发布了基于100mm SiC晶片的650V SiC MPS二极管,并于2017年发布了基于150mm高质量SiC晶片的650V...
按导电机理,SiC功率二极管可以分为单极型二极管和双极型二极管,它们在电路中都可用作续流二极管、开关器件、控流器件等。单极型采用金属-半导体(SBD二极管)或金属-绝缘膜-半导体(JBS二极管和MPS二极管)结构,最近还开发出了沟槽栅 SiC 二极管和超级结 SiC 二极管;双极型 PiN 二极管是基于 PN 结的结构。
另外,在碳化硅的二极管方面,蓉矽半导体利用自有技术,其碳化硅JBS采用了PIN和SBD的复合结构,由于PIN结构在器件反向阻断状态中用于屏蔽肖特基区电场从而降低反向漏电;SBD结构可降低导通压降并且能获得单极导通模式。通过优化的工艺设计,能在不增加工艺复杂度的同时,获得高抗浪涌电流能力等同MPS的碳化硅JBS,实现了抗浪涌电流能力...
[1] 改进型结势垒肖特基(JBS)结构:该结构将混合式PiN肖特基(MPS)结构(可在大电流下降低正向电压)整合在JBS结构(不仅可降低肖特基接口的电场,而且还可减少电流泄漏)中。 [2] 在1200 V SiC SBD中。截至2024年9月的东芝调查。 如需了解新产品的更多信息,请访问以下网址: ...
为提高基板和外延的质量,取得了快速而又巨大的进步;同时,采用了一种可以更有效地分布峰值电场的被称为“势垒肖特基结(JBS)”的二极管构架。2006年,JBS 二极管演化为现在被称为合并的 p-n 肖特基(MPS)结构,这种结构保持了最优的场分布,但也通过合并真正的少数载流子注入实现了增强的缓冲能力。今天,碳化硅二极管是...
另外,在碳化硅的二极管方面,蓉矽半导体利用自有技术,其碳化硅JBS采用了PIN和SBD的复合结构,由于PIN结构在器件反向阻断状态中用于屏蔽肖特基区电场从而降低反向漏电SBD结构可降低导通压降并且能获得单极导通模式。通过优化的工艺设计,能爱不增加工艺复杂度的同时,获得高抗浪涌电流能力等同MPS的碳化硅JBS,实现了抗浪涌电流能力...
下面我们来看看WOLFSPEED JBS/MPS二极管相对普通二极管的技术优势。 普通二极管 肖特基二极管是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基势垒二极管肖特基二极管结构原理图(SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD)的简称。也称为金属-半导体(接触)二极管或表面势垒二极管,它是一种热载流子二极管。SBD的主要特点包括两个方面:...