半导体碳化硅肖特基二极管(SiC SBD)绝缘和导热痛点的详解; (Silicon Carbide Schottky Diode)是一种高性能半导体器件,具有低开启电压、高速开关、高温性能等优点,广泛应用于电源、驱动、逆变器、电动汽车等领域。它使用的是一种全新的技术,可为硅提供出色的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流、温度独立的开关特性和...
以SiC SBD代替Si基二极管的混合模块,在损耗和动态特性上寻求优化提升,这一点很是合理,因为IGBT不具备反向导通特性,SiC SBD在必要的基础上确实能够改善整体模块的性能。那全SiC模块的是否需要在已有的体二极管(BodyDiode)上再额外地反并联SiC SBD呢?为此也是查找了些许资料,今天我们就来聊一聊这个话题。 NO.1概述 ...
萃锦 SiC Diode 反向恢复特性优,正向导通压降值低,损耗小。萃锦器件能较好适应大功率电源高频和高功率密度的性能需求。 2025-01-16 - 应用方案 代理服务 技术支持 采购服务 【元件】瞻芯电子推出2000V SiC MOSFET和SBD,助力高压光伏逆变器系统 为满足光伏、储能和电网等领域对更高耐压等级功率器件需要,瞻芯...
目前SiC二极管已经大量运用于商业化的电能转换装置中。SiC功率二极管有3种类型:PiN二极管、肖特基二极管(schottky barrier diode,SBD)和结势垒肖特基二极管(junction barrier schottky diode,JBS),其结构如下图所示: 图3种类型SiC二极管结构示意图 JBS二极管结合了肖特基二极管在正向导通情况下单极型导电的优点及PiN结二极管...
WXDH ELECTRONICS - SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE,SIC肖特基势垒二极管,DCGT08D65G4,WIND POWER STATION,MOTOR DRIVE,开关模式电源,PV逆变器,PV INVERTER,风力发电站,SWITCHING MODE POWER SUPPLIES,电动机驱动 2020.10.21 - 数据手册 - Rev. 1.0 代理服务 技术支持 采购服务 【经验】SiC-SBD(SiC肖特基势垒二极管)...
东芝电子今日宣布，最新推出第3代碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBD）产品线中增添“TRSxxx120Hx系列”1200 V产品，为其面向太阳能逆变器、电动汽车充电站和开关电源等工业设备降低功耗。东芝现已开始提供该系列的十款新产品，其中包括采用TO-247-2L封装的五款产品和采用TO-247封装的五款产品。最新TRSxxx120Hxx系列...
上海功成半导体科技有限公司(CoolSemi)主要从事低压屏蔽栅SGT、高压超结SJ、沟槽栅场截止型IGBT、SiC SBD、SiC MOSFET、GaN HEMT、功率模块IPM、功率IC的设计和研发。公司聚焦新能源、数据中心、汽车电子、智能家电以及高端消费电子领域,产品已应用于直流充电桩、通信电
SiC SBD Discrete device Industry 650 4 G6 1.2 1.5 34 35 9.3 13.6 -55℃~175℃ single chip SMB SDS200J040H5 SiC SBD Discrete device Industry 2000 40 G5 1.36 2.10 520 10 403 714 -55℃~175℃ single chip TO247-2L SDS200J040B5 SiC SBD Bare die Industry 2000 40 G5 1.36 2.10 520...
二极管由电流驱动,无法自主控制通断,电流只能单向通过。半导体二极管按应用领域不同可分为用于电力转换的功率二极管,主要为普通整流二极管、快恢复二极管(Fast Recovery Diode,FRD)、肖特基二极管(Schottky Barrier Diode,SBD);用于显示用的发光二极管,如LED、OLED;用于将光信...