新品2000V SiC分立器件双脉冲或连续PWM评估板 开发EVAL-COOLSIC-2kVHCC评估板的目的是评估TO-247 PLUS-4-HCC封装的CoolSiC™ 2000V碳化硅MOSFET。评估板是精确的通用测试平台，用于评估全系列CoolSiC™ 2000V SiC MOSFET分立器件和EiceDRIVER™紧凑型单通道隔离栅极驱动器1ED31xx系列。该电路板设计灵活，可在不...
BASiC基本半导体B3M013C120Z与B3D80120H2组合而成的1500V地面电站大组串MPPT升压方案,凭借高效率、高可靠性、高功率密度及成本优势,正在快速取代老旧的2000V耐压器件的两电平MPPT升压方案。其飞跨电容三电平设计不仅契合1500V光伏系统需求,更引领行业向高频化、紧凑化、智能+化方向发展。随着碳化硅产业链成熟与政策支持...
芯联集成在互动平台表示，公司SiC MOSFET系列工艺平台方面实现了650V到2000V系列的全面布局，其中1200V车载主驱逆变器实现量产，是国内最早能够提供车载主驱逆变器SiC MOSFET晶圆制造的企业，技术处于国际领先水平之列；1700V的平面SiC MOSFET也处于国际领先水平，可用于新能源光伏逆变器系统。 在车载SiC MOSFET领域，公司...
在这一市场动向的引领下，全球半导体领先企业英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY），于2024年9月重磅推出了CoolSiC™肖特基二极管2000V G5系列。这一创新产品不仅打破了2000V的碳化硅二极管分立器件技术壁垒，更将TO-247-2封装引入其产品阵容，与市场上大多数TO-247-2封装实现引脚兼容。该产品系列...
为了应对这一挑战，德国慕尼黑总部位于英飞凌科技股份公司推出了创新性的CoolSiC肖特基二极管2000V G5。这款产品是市场上首款击穿电压高达2000V的分立碳化硅二极管，特别适用于直流母线电压高达1500VDC的应用场景，其额定电流范围为10A至80A，非常适合太阳能、电动汽车（EV）充电等高直流母线电压领域的应用。该产品系列采用...
瞻芯电子推出2000V SiC 4相升压模块! 来源:市场资讯 2月28日,瞻芯电子正式推出3B封装的2000V 碳化硅(SiC) 4相升压功率模块产品(IV3B20023BA2),为光伏等领域提供了高电压、高功率密度的解决方案。该产品已通过工业级可靠性测试,并在光伏客户导入验证。
为满足这一需求，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出CoolSiC™肖特基二极管2000 V G5，这是市面上首款击穿电压达到2000 V的分立碳化硅二极管。该产品系列适用于直流链路电压高达1500 VDC的应用，额定电流为10 A至80 A，是光伏、电动汽车充电等高直流...
2024年3月13日讯，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求，而且即使面对严格的高电压和开关频率要求，也不会降低系统可靠性。CoolSiC™ MOSFET具有更高的直流母线电压，可在不增加...
Infineon推出TO-247PLUS-4-HCC封装设备，适用于高达1500V直流电的直流链路系统英飞凌宣布在TO-247PLUS-4-HCC封装中采用2000V CoolSiC MOSFET，以满足在高电压和开关频率条件下提高功率密度的需求，同时不影响可靠性。CoolSiC MOSFET的设计提供了更高的直流链路电压，因此可以在不增加电流的情况下增加功率。它被认为是...
随着光伏储能的技术迭代需求,功率器件厂商也看到了市场机会,陆续推出2000V的SiC MOSFET产品。 英飞凌今年1月推出了多款型号为IMYH200R的2000V SiC MOSFET新品,规格为12mΩ、24mΩ、50mΩ、75mΩ、100mΩ,采用TO-247PLUS-4-HCC封装,在严苛的高压和开关频率条件下,也能够在保证系统可靠性的情况下提供更高的功率...