2000V SiC MOFET和Diode特别适用于1500V 光伏升压电路(MPPT)。如下图3所示,在升压变换电路中,2000V SiC分立器件能简化电路拓扑、减少元器件数量,降低总物料成本,同时让应用控制更简单: 图3,升压变换电路拓扑 对比分立器件的方案,若采用2000V SiC功率模块产品(IV3B20023BA2),除了上述优势,还进一步简化了电路设计,...
2000V SiC MOFET和Diode特别适用于1500V 光伏升压电路(MPPT)。如下图3所示,在升压变换电路中,2000V SiC分立器件能简化电路拓扑、减少元器件数量,降低总物料成本,同时让应用控制更简单: 图3,升压变换电路拓扑 对比分立器件的方案,若采用2000V SiC功率模块产品(IV3B20023BA2),除了上述优势,还进一步简化了电路设计,...
此外,英飞凌还提供了与CoolSiC™ MOSFET 2000 V匹配的栅极驱动器产品组合。 供货情况 采用TO-247PLUS-4 HCC封装的CoolSiC™肖特基二极管2000 V G5系列及其评估板现已上市。了解更多信息,敬请访问www.infineon.com/CoolSiC-diode-2kV。 About Infineon 英飞凌科技股份公司是全球功率系统和物联网领域的半导体领导者。
2000V SiC模块的应用价值 随着电力电子技术的发展,在光伏、储能、电网等领域的功率变换系统呈现2个趋势:一是追求更高工作频率,以缩减电感和电容规格,降低物料成本,提升效率和功率密度;二是追求更高母线电压,以降低器件的导通电流和损耗,提升系统效率。 2000V SiC MOFET和Diode特别适用于1500V 光伏升压电路(MPPT)。如...
2000V SiC MOFET和Diode特别适用于1500V 光伏升压电路(MPPT)。如下图3所示,在升压变换电路中,2000V SiC分立器件能简化电路拓扑、减少元器件数量,降低总物料成本,同时让应用控制更简单: 图3,升压变换电路拓扑 对比分立器件的方案,若采用2000V SiC功率模块产品(IV3B20023BA2),除了上述优势,还进一步简化了电路设计,...
IV2Q20045T4:2000V 45mΩ 碳化硅(SiC)MOSFET,TO247-4 驱动电压:15V~18V,具有开尔文源极引脚 IV1D20020T2:2000V 20A 碳化硅(SiC)Schottky Diode,TO247-2 工作结温高达175℃,且Vf具有正温度系数 关于应用 随着电力电子技术的发展,在光伏、储能、电网等领域的功率变换系统呈现2个趋势:一是追求更高工作频率,以压...
CoolSiC™ Schottky diode 2000 V in TO-247-2 package Überblick Diagramme Parameter Dokumente Bestellung Design Support Support CoolSiC™ Schottky diode 2000 V, 10 A generation 5 in a TO-247-2 package enables higher efficiency and design simplification in high DC link systems up to...
2000V SiC模块的应用价值 随着电力电子技术的发展,在光伏、储能、电网等领域的功率变换系统呈现2个趋势:一是追求更高工作频率,以缩减电感和电容规格,降低物料成本,提升效率和功率密度;二是追求更高母线电压,以降低器件的导通电流和损耗,提升系统效率。 2000V SiC MOFET和Diode特别适用于1500V 光伏升压电路(MPPT)。如...
650V60A混合单管 (Si IGBT+SiC diode) 可大幅降低IGBT的开关损耗,提高效率,降低温升。 3 2000V系列产品 适用1500V光伏系统,高效率,更可靠。 本届慕尼黑上海电子展充分发挥平台所承载的价值,推动整个行业的持续创新。泰科天润以慕尼黑上海电子展为桥梁,向第三代半导体行业及上下游客户展示了公司的产品(新品)、...
数明半导体 - 功率MOSFET和IGBT驱动器,单通道隔离IGBT/SIC栅极驱动器,单通道光耦兼容隔离栅极驱动器,高速六通道数字隔离器,N沟道MOSFET门极驱动器,单通道隔离驱动器,低压驱动,三相半桥驱动,高CMTI 4.0A 双通道隔离栅极驱动器,单通道光耦兼容隔离式栅极驱动器,双通道数字隔离器,6通道数字隔离器,数字隔离器,4通道数字...