2000 V二极管系列与英飞凌2024年春季推出的TO-247Plus-4 HCC封装的CoolSiC™ MOSFET 2000 V完美适配。CoolSiC™二极管2000 V产品组合将通过提供TO-247-2封装而得到扩展,该封装将于2024年12月推出。此外,英飞凌还提供了与CoolSiC™ MOSFET 2000 V匹配的栅极驱动器产品组合。 供货情况 采用TO-247PLUS-4 HCC封...
这款二极管没有反向恢复和正向恢复,且具有正向电压低的特点,从而确保了系统性能的提升。 2000 V二极管系列可与英飞凌2024年春季推出的TO-247Plus-4 HCC 封装CoolSiC™ MOSFET 2000 V完美匹配。除TO-247-2 封装外,CoolSiC™肖特基二极管 2000 V还提供 TO-247PLUS-4 HCC封装。 供货情况 TO-247-2封装CoolSiC...
11月5日,英飞凌科技CoolSiC™ MOSFET 2000V碳化硅分立器件以及碳化硅模块凭借其市场领先的产品设计以及卓越的性能,荣获2024年全球电子成就奖“年度高性能无源/分立器件”,再次展现了英飞凌在电力电子领域的技术创新能力和行业领先地位。 11月5日,英飞凌科技CoolSiC™ MOSFET 2000V碳化硅分立器件以及碳化硅模块(EasyPACK...
英飞凌的 CoolSiC™ 系列 MOSFET 采用最先进的沟槽半导体工艺制造，经过优化，可实现应用的最低损耗和最高的运行可靠性。分立式 CoolSiC™ MOSFET 产品系列包括 650 V、750 V、1200 V、1700 V 和 2000 V 电压等级，导通电阻额定值为 7 mΩ 至 1000 mΩ。CoolSiC™ 沟槽技术CoolSiC™ 沟槽技术可实现灵...
英飞凌科技推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求,而且即使面对严格的高电压和开关频率要求,也不会降低系统可靠性。CoolSiC™ MOSFET具有更高的直流母线电压,可在不增加电流的情况下提高功率。作为市面上第一款击穿电压达到2000 V的碳化硅...
新品:2000V 12-100mΩ CoolSiC™ MOSFET CoolSiC™ 2000V SiC MOSFET系列采用TO-247PLUS-4-HCC封装,规格为12-100mΩ。由于采用了.XT互联技术,CoolSiC™ 技术的输出电流能力强,可靠性提高。 产品型号:· IMYH2…
该新封装预计将于12月面世。此外，英飞凌还提供了专为CoolSiC MOSFET 2000V设计的栅极驱动器产品组合，以满足更广泛的应用需求。目前，采用TO-247PLUS-4 HCC封装的CoolSiC肖特基二极管2000V G5系列已正式上市，同时，该产品系列的评估板也已同步推出。
英飞凌的CoolSiC MOSFET 2000V碳化硅分立器件再度赢得行业殊荣,荣获2024年度极光奖“年度影响力产品”奖项。与此同时,凭借其在碳化硅技术领域的持续创新突破及产品性能的显著提升,英飞凌被授予“第三代半导体年度标杆领军企业”的荣誉。 点击可查看大图 此外,作为功率半导体行业的领导者,英飞凌持续致力于碳化硅技术的革新与发...
2000V二极管系列与英飞凌在2024年春季推出的TO-247Plus-4 HCC封装CoolSiC™ MOSFET 2000V能够完美匹配。▍ 性能与可靠性 特别值得一提的是，该二极管不具有反向恢复和正向恢复，且拥有低正向电压的特性，为系统性能的提升提供了有力保障。▍ 匹配与扩展 2000V二极管系列还提供了TO-247PLUS-4 HCC封装选项。
新品集成.XT互联技术降低热阻,通过HV-H3TRB认证保障湿热环境稳定性。零反向恢复特性结合低正向电压,全面提升系统效率。系列产品可与2000V CoolSiC™ MOSFET兼容,提供TO-247PLUS-4 HCC等多封装方案,目前已完成量产并同步供应评估板及配套驱动器件。 (米叶、刘立庆)...