与基于硅的功率器件不同的是，SiC 的氧化层可靠性试验设置还必须涵盖阻断模式下的稳定 性。此外，按照许多现有的、用于规范加速试验的合格标准，必须利用模型推断试验数据，使其与现实世 界里的应用条件建立关联。必须验证这些模型参数对于 SiC 的适用性和准确性。 在过去 25 年里开发和生产基于 SiC 的功率器件的过...
总之,对于英飞凌的 SiC 二极管,当采用的钝化处理、终端概念和失效率都与 Si 技术相当时,长时间的HV-H3TRB、AC-HTC 试验结果和多年的现场经验都能证明,我们的 CoolSiC™ MOSFET 在湿度高且恶劣的现场环境条件下也是可靠的器件。 8.3 秒级功率循环试验 在计算半导体器件...
相比硅基IGBT,碳化硅MOSFET需要特殊的工艺、设计和测试来保证可靠性。 SiC能使用硅器件的许多著名概念和工艺技术,其中包括基本的器件设计,如垂直型肖特基二极管或垂直型功率MOSFET。因此,用于验证硅器件长期稳定性的许多方法可以直接用到SiC上。但更深入的分析表明,基于SiC的器件还需要进行一些不同于Si器件的额外可靠性试...
SiC 能作为功率器件原材料的原因之一是,它能借用硅器件的许多著名概念和工艺技术,其中包括基本的器件设计,如垂直型肖特基二极管或垂直型功率 MOSFET(对JFET和 BJT 进行一些改进后获得的替代结构)。因此,用于验证硅器件长期稳定性的许多方法可以直接用到 SiC 上。但更深入的分析表明,基于Si℃ 的器件还需要进行一些不同...
SiC 能作为功率器件原材料的原因之一是,它能借用硅器件的许多著名概念和工艺技术,其中包括基本的器件设计,如垂直型肖特基二极管或垂直型功率 MOSFET(对JFET和 BJT 进行一些改进后获得的替代结构)。因此,用于验证硅器件长期稳定性的许多方法可以直接用到 SiC 上。但更深入的分析表明,基于Si℃ 的器件还需要进行一些不同...
SiC 能作为功率器件原材料的原因之一是,它能借用硅器件的许多著名概念和工艺技术,其中包括基本的器件设计,如垂直型肖特基二极管或垂直型功率 MOSFET(对JFET和 BJT 进行一些改进后获得的替代结构)。因此,用于验证硅器件长期稳定性的许多方法可以直接用到 SiC 上。但更深入的分析表明,基于Si℃ 的器件还需要进行一些不同...
在《白皮书下载 | 如何控制和保证基于 SiC 的功率半导体器件的可靠性》(一)中,我们介绍了基于 SiC 的器件需要进行一些不同于硅器件的额外可靠性试验的原因和工业级 SiC MOSFET 的栅极氧化层可靠性及其失效率和寿命。本文将继续介绍工业级 SiC MOSFET 的栅极氧化层可靠性和偏压...
在过去25年里开发和生产基于SiC的功率器件的过程中,英飞凌对所有这些项目进行了深入的分析。一边开发新试验用于测试基于硅的功率半导体器件所没有的不同运行模式,一边改进其他试验以考虑到SiC特有的要求。必须强调的是,特性鉴定和验证体系的主要组成部分是基于应用条件的应力分析。这样做是为了能够评估SiC器件的临界运行条...
今天分享的是【英飞凌如何控制和保证基于SiC的功率半导体器件的可靠性】 报告出品方:英飞凌 SiC 能作为功率器件原材料的原因之一是,它能借用硅器件的许多著名概念和工艺技术,其中包括基本的 器件设计,如垂直型肖特基二极管或垂直型功率 MOSFET(对 JFET 和 BJT 进行一些改进后获得的替代 结构)。因此,用于验证硅器件长期...
汽车级SiC 客户需要更高的现场应用可靠性 37 9.2 汽车零部件对湿度的耐受力不打折扣 37 10 SiC 器件可靠性和质量认证的行业标准 39 2 07-2020 英飞凌如何控制和保证基于SiC 的功率半导体器件的可靠性 1 引言 英飞凌基于 CoolSiC™沟槽栅的碳化硅功率 MOSFET ,凭借杰出的系统性能 ,在功率转换开关器件的优 值...