在《白皮书下载 | 如何控制和保证基于 SiC 的功率半导体器件的可靠性》(三)中,我们详细介绍了碳化硅的抗宇宙射线能力 ,CoolSiC™ MOSFET 的抗短路能力和SiC 体二极管双极退化。本文将继续介绍产品级别的质量认证,汽车级认证和SiC 器件可靠性和质量认证的行业标准。 8 产品级...
如何控制和保证基于 SiC 的功率半导体器件的可靠性 所列项目可能对所有既有的质量认证试验都有影响。由于力学特性不同,功率循环二次试验所得的结果也会不同。与基于硅的功率器件不同的是,SiC的氧化层可靠性试验设置还必须涵盖阻断模式下的稳定性。此外,许多现有的、用于规范加速试验的合格标准,都必须利用模型推断试验...
9.1汽车级SiC客户需要更高的现场应用可靠性37 9.2汽车零部件对湿度的耐受力不打折扣37 10SiC器件可靠性和质量认证的行业标准39 2 07-2020 英飞凌如何控制和保证基于SiC的功率半导体器件的可靠性 1引言 英飞凌基于CoolSiC™沟槽栅的碳化硅功率MOSFET,凭借杰出的系统性能,在功率转换开关器件的优 ...
SiC 能作为功率器件原材料的原因之一是，它能借用硅器件的许多著名概念和工艺技术，其中包括基本的 器件设计，如垂直型肖特基二极管或垂直型功率 MOSFET（对 JFET 和 BJT 进行一些改进后获得的替代 结构）。因此，用于验证硅器件长期稳定性的许多方法可以直接用到 SiC 上。但更深入的分析表明，基于 SiC 的器件还需要...
SiC 能作为功率器件原材料的原因之一是,它能借用硅器件的许多著名概念和工艺技术,其中包括基本的器件设计,如垂直型肖特基二极管或垂直型功率 MOSFET(对JFET和 BJT 进行一些改进后获得的替代结构)。因此,用于验证硅器件长期稳定性的许多方法可以直接用到 SiC 上。但更深入的分析表明,基于Si℃ 的器件还需要进行一些不同...
一边开发新试验用于测试基于硅的功率半导体器件所没有的不同运行模式,一边改进其他试验以考虑到SiC特有的要求。必须强调的是,特性鉴定和验证体系的主要组成部分是基于应用条件的应力分析。这样做是为了能够评估SiC器件的临界运行条件,并了解新的潜在失效机制。
SiC 能作为功率器件原材料的原因之一是,它能借用硅器件的许多著名概念和工艺技术,其中包括基本的 器件设计,如垂直型肖特基二极管或垂直型功率 MOSFET(对 JFET 和 BJT 进行一些改进后获得的替代 结构)。因此,用于验证硅器件长期稳定性的许多方法可以直接用到 SiC 上。
SiC能使用硅器件的许多著名概念和工艺技术,其中包括基本的器件设计,如垂直型肖特基二极管或垂直型功率MOSFET。因此,用于验证硅器件长期稳定性的许多方法可以直接用到SiC上。但更深入的分析表明,基于SiC的器件还需要进行一些不同于Si器件的额外可靠性试验。这是因为: ...
在《白皮书下载 | 如何控制和保证基于 SiC 的功率半导体器件的可靠性》(一)中,我们介绍了基于 SiC 的器件需要进行一些不同于硅器件的额外可靠性试验的原因和工业级 SiC MOSFET 的栅极氧化层可靠性及其失效率和寿命。本文将继续介绍工业级 SiC MOSFET 的栅极氧化层可靠性和偏压温...
8.3秒级功率循环试验32 8.4长期应用试验34 9汽车级认证:超越标准的方法35 9.1汽车级SiC客户需要更高的现场应用可靠性37 9.2汽车零部件对湿度的耐受力不打折扣37 10SiC器件可靠性和质量认证的行业标准39 2 07-2020 英飞凌如何控制和保证基于SiC的功率半导体器件的可靠性 ...