表 1-1 列出了各种半导体材料的电气特征,SiC 的优点不 仅在于其绝缘击穿场强(Breakdown Field)是 Si 的 10 倍,带隙(Energy Gap)是 Si 的 3 倍,而且在器件制造时可以在较宽的范 围内实现必要的 P 型、N 型控制,所以被认为是一种超越 Si 极限的用于制造功率器件的材料。SiC 存在各种多型体(结晶多系),...
SiC可以在高温场景下应用。SiC的带隙宽度大约为Si的3倍,可以在较宽范围内实现必要的P型、N 型控制,超越Si器件的物理极限。因此,SiC可以在高温条件下稳定工作。根据罗姆官方《SiC功率器件-模块应用笔记》显示,目前由于受到封装的耐热可靠性的制约,只保证到150℃～175℃,但是随着封装技术的发展,将来也可能达到200℃以...
电动汽车的功率半导体,特别是SiC MOSFET或者SiIGBT模块,因为是用在动力心脏---电驱动上;主驱的工况较为恶劣,一旦出问题就会导致整车失去动力,因此其可靠性测试项目要相比其他汽车电子严格。 欧洲电力电子中心这套标准严格说不算标准;它只是提及到了实验方法,且只是部分测试项点给了通过判定条件;还有一些测试项点并没...
表2中列出了电机试验台以及供试逆变器中搭载的SiC器件的主要规格。供试逆变器由内置第4代SiC MOSFET裸芯片的二合一功率模块组成。 F图11为电机试验台的测试环境,图12为供试逆变器(DUT Inverter),图13为控制系统框图。通过供试逆变器的三相UVW动力线来驱动供试电机。供试电机与负载电机连接,负载电机根据车辆参数计...
SiC可以在高温场景下应用。SiC的带隙宽度大约为Si的3倍,可以在较宽范围内实现必要的P型、N 型控制,超越Si器件的物理极限。因此,SiC可以在高温条件下稳定工作。根据罗姆官方《SiC功率器件-模块应用笔记》显示,目前由于受到封装的耐热可靠性的制约,只保证到150℃～175℃,但是随着封装技术的发展,将来也可能达到200℃以...
安森美(onsemi)在使用 Si MOSFET 技术的汽车模块设计领域表现出色,现在推出了一系列 SiC MOSFET 模块以改进 OBC 设计,包括使用 1200 V SiC 器件的 PFC 和DC/DC模块。本应用笔记将介绍这些模块,并提供这些新模块的使用指南。 模块介绍 图1 和图 2 显示了单向和双向 OBC 电路拓扑结构,这些拓扑结构在 EV 市场中...
斯达供应商提供资料他们用Cree的芯片,模块Vgs推荐使用-4/15V,Rhom的芯片,模块Vgs推荐使用-2/15V。 斯达SiC MOSFET推荐Vgs 3.2 驱动电阻 驱动电阻对开关速度影响较大,若驱动电阻小则栅极电容充放电快,开关器件开关速度快,开关损耗小,但若驱动电阻过小则开关过程中驱动电压容易出现振荡,可能会导致器件的误触发,严重时...
安森美 (onsemi) 在使用 Si MOSFET 技术的汽车模块设计领域表现出色,现在推出了一系列 SiC MOSFET 模块以改进 OBC 设计,包括使用 1200 V SiC 器件的 PFC 和 DC/DC 模块。本应用笔记将介绍这些模块,并提供这些新模块的使用指南。 模块介绍 图1 和图 2 显示了单向和双向 OBC 电路拓扑结构,这些拓扑结构在 EV ...
SiC器件相对于Si器件的优势主要来自三个方面:降低电能转换过程中的能量损耗、更容易实现小型化、更耐高温高压。 1、降低能量损耗:SiC材料开关损耗极低,全SiC功率模块的开关损耗大大低于同等IGBT模块的开关损耗,而且开关频率越高,与IGBT模块之间的损耗差越大,这就意味着对于IGBT模块不擅长的高速开关工作,全SiC功率模块不...
王教授分别围绕碳化硅电力电子器件的分类、应用以及SiC MOSFET器件的结构、原理、仿真技术应用、设计实例等方面,深入清晰地对碳化硅功率器件目前技术现状、未来发展趋势进行了全面的讲解。 线下课堂上认真听讲的学员们 干货笔记 1、SIC功率器件概述 SIC材料特性:碳化硅(...