泰坦未来的SiC涂层、TaC涂层可满足SiC长晶、外延、热处理等环节生产需求,其中SiC涂层耐温达到1600℃, TaC涂层耐超高温(2500℃以上),并具备高致密性、高纯度。针对SiC外延设备正在朝单腔多片或多腔单片的技术趋势,泰坦未来正在开发更具性价比的碳化钽涂层,其成本仅为行业价格的1/5,有望帮助长晶及外延厂商降低30-40...
今年3月，日本丰田通商株式会社宣布，他们联合日本关西学院采用一种表面纳米控制工艺技术——Dynamic AGE-ing，可以消除碳化硅衬底的缺陷，并完成了 6 英寸碳化硅衬底的性能验证。据介绍，Dynamic AGE-ing是一种将热蚀刻和晶体生长集成在一起的非接触式纳米控制工艺技术，通过将SiC衬底置于1600℃至2100℃的超高温气相环境...
从图2a可以看出氮元素在1400℃退火后激活率小于10%,在1600℃退火可以达到90%的激活率。磷元素的情况类似,只有退火温度达到1600℃时,激活率才能达到90%。 对于P型的离子注入工艺,由于硼元素的异常扩散效应,一般都使用铝元素作为掺杂剂。和N型注入类似,当退火温度达到1600℃,可以显著提高铝元素的激活率。但Negoro等人...
在这些薄膜中碳薄膜改善效果最好,并在SiC功率器件量产线中得到应用。 SiC样品经过磷元素离子注入,分别在有碳膜覆盖和无碳膜覆盖情况下完成1600℃高温退火工艺,测试的表面粗糙度数据对比见图6。在注入剂量1.0*1015-6.0*1016cm-2范围内,在有碳膜保护的情况下,粗糙度rms比无碳膜保护情况下改善了8-16倍[6]。 图...
高温稳定性：碳化硅具有极高的热稳定性，在高达1600°C的温度下依然保持其原有的晶体结构。其热膨胀系数低（约为4.0 × 10^-6 K^-1），使其在温度急剧变化的环境中不易发生热裂纹。与传统材料相比，SiC具有更强的耐高温性能，这使得它在诸如航空航天、发动机部件等高温环境中具有显著的优势。B. 耐腐蚀与抗...
目前常用碳化硅离子注入后激活退火工艺在1600℃~1700℃温度下的Ar氛围中进行。 不过,高温退火时SiC表面可能会发生迁移现象,形成微台阶,进而表面明显变粗糙。 如何维持表面平坦化,也成为一个关注点,下面列举了三个方式: ◎ SiH4添加退火法:在Ar中添加微量SiH4 ...
单晶硅生长主要使用高纯石墨和碳坦涂层，其中碳坦涂层在光伏级硅中应用较多。未来趋势之一是希望用探讨替代高纯石墨和石英干锅。电子级硅生长采用高纯石墨加碳化硅涂层方案，亦为当前成熟应用的方案。碳化硅涂层要求纯度达到99.9995%以上，耐温可达1600摄氏度，主要目的是隔离气态硅和石墨，防止二者反应产生碳化硅颗粒污染晶圆...
据介绍,Dynamic AGE-ing是一种将热蚀刻和晶体生长集成在一起的非接触式纳米控制工艺技术,通过将SiC衬底置于1600℃至2100℃的超高温气相环境中,该技术就可以自动将原子排列在表面上,从而就能够彻底去除加工应变层,而零缺陷主要是通过阻止BPD来实现的。 图片来源:丰田通商株式会社 ...
目前常用碳化硅离子注入后激活退火工艺在1600℃~1700℃温度下的Ar氛围中进行。 不过,高温退火时SiC表面可能会发生迁移现象,形成微台阶,进而表面明显变粗糙。 如何维持表面平坦化,也成为一个关注点,下面列举了三个方式: ◎ SiH4添加退火法:在Ar中添加微量SiH4 ...
因此，碳化硅需要在石墨电炉中以1600°C 至2500°C的温度将硅砂和碳合成。这一过程会生成碳化硅晶体块，然后需要进一步加工，最终形成碳化硅半导体。每个生产步骤都需要极其严格的质量控制，以确保最终产品符合严格的测试标准。为了保证质量，安森美采用了一种独特的方法。作为业内唯一一家端到端碳化硅制造商，他们掌握着从...