汶颢自主研发的SIC160碳化硅微反应器采用无压烧结技术,实现了整个模块的整体密封成型,而不是通过螺丝穿孔加密封圈密封的方式密封,提高了密封强度、密封可靠性及耐腐蚀能力,且不会因为重复拆装导致碳化硅反应器的疲劳强度下降导致出现应力开裂的现象。不同于反应烧结碳化硅,汶灏采用的无压烧结工艺成型的碳化硅反应器,不添...
汶颢股份可以加工生产所有材质微流控芯片,如玻璃、石英、硅、PDMS和PMMA等。公司业务包括微流控芯片加工、封合、处理、温控、流体驱动与控制等等,微反应器,微液滴芯片,实验室组建及应用于医疗诊断、食品安全和环境检测仪器等。
SOT-227 Silicon Carbide Schottky Barrier Diode, 650 V, 160 A FEATURES Virtually no recovery tail and no switching losses Majority carrier diode using Schottky technology on SiC wide band gap material Improved VF and efficiency by thin wafer technology ...
据湖南三安官微消息,7月24日,湖南三安半导体举行芯片二厂M6B设备入场仪式。这标志着湖南三安SiC项目二期通线在即,将为全面加速8吋SiC产业布局,实现产线正式投产奠定了良好的基础。 据悉,湖南三安SiC项目总投资高达160亿人民币,旨在打造6吋/8吋兼容SiC全产业链垂直整合量产平台。项目达产后,将具备年产36万片6吋SiC...
近日,国内又新增1个SiC项目。 2023年12月底,江苏际弘芯片科技有限公司对外披露了《第三代半导体材料、功率器件模块及新能源汽车器件生产项目》验收情况,文件表明,验收组已同意该项目水土保持设施通过验收,可以开展最终水土保持设施验收工作。 文件进一步透露,该碳化硅模块项目位于江苏省南通市如泉市,建设周期为2021年5月...
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(可选)安装SIM卡到单板-SIC 背景信息 此安装方式适用于SIC-3G/LTE功能的单板,安装SIM卡到单板的方法相同,此处以安装SIM卡到3G-HSPA+7单板举例说明。 不建议使用卡套形式,以防止SIM卡接触不良。 设备不支持热插拔SIM卡。重新拔插SIM卡后需要重启射频模块或者重启设备。 设备SIM卡拔出或安装完成后,必须确保SIM卡的...
第2个160亿SiC项目要来了? 四大权益礼包,开户即送 去年,一个疑似对标三安的160亿SiC项目签约(.点这里.),最近,该项目开始启动。 据长春人民政府9月19日公告,该市已与同芯积体签订了战略合作框架协议,目的是加快第三代半导体产业园项目合作。目前,该项目已启动园区改造工作。
With Infineon’s performance optimized chip technology (Gen1p), the SiC Mosfet features best-in-class switching performance, robustness against parasitic turn-ons, as well as improved RDSon and Rth(j-c). High power density, superior efficiency, bi-directional charging capabilities and significant red...
湖南三安SiC二期工程即将贯通 总投资160亿元的湖南三安半导体基地一期项目已于2021年6月投产,将打造国内首条、全球第三条碳化硅(SiC)垂直整合产业链,可月产3万片6英寸SiC衬底。 据悉,湖南三安半导体基地项目致力于建设具有自主知识产权的以SiC等宽禁带材料为主的第三代半导体全产业链生产与研发基地,项目投产后可广泛...