利用射频溅射法在 Si 衬底上制备了 SiC 薄膜 ,并利用 x 射线衍射 ( XRD) 和红外 ( IR) 吸收谱对薄膜的结构 、 成分 ) 及化学键合状态进行了分析 . XRD 结果表明 ,低温制备的 SiC 薄膜为非晶相 , 而在高温下 ( > 800 ℃ , 薄膜呈现 4H2 膜的表面形貌进行了研究 ,并研究了样品的场发射特性 . 关...
中国科学院北京纳米能源与系统研究所王中林院士、朱来攀副研究员等人报道了一种具有更广泛适用性和更高商业化潜力的自供电SiC紫外光电探测器。其出色性能是通过肖特基和欧姆接触的共生调制产生的光致动态肖特基效应来实现的。作者利用N掺杂4H-SiC单晶中存在的热释电效应,实现了0.27 s的快速热释电响应时间,比紫外光照...
不同于4H-SiC,6H-SiC的晶体结构中,每个硅原子和碳原子的环是相互交替排列的。其晶体结构中每个碳原子都有一个和上面一个碳原子相连接的硅原子,也有一个和下面两个碳原子相连接的硅原子。这种结构的好处是能够提高晶体的堆垛序列重复性,从而提高晶体的完整性和稳定性。 两种晶体结构的区别主要在于6H-SiC和4H-SiC...
4H SiC 中晶体缺陷的准确表征对于增进对晶体生长的基本了解、改进过程控制和实现成功的工业应用至关重要。在多种应用中,4H SiC 引起了电力电子领域的特别关注,因为与传统硅基器件相比,4H SiC 具有固有的优势,例如更高的工作温度和更低的开关损耗。另一方面,对 SiC 中各种晶体缺陷密度的有限工艺控制,包括基面位错 (...
4H SiC 中晶体缺陷的准确表征对于增进对晶体生长的基本了解、改进过程控制和实现成功的工业应用至关重要。在多种应用中,4H SiC 引起了电力电子领域的特别关注,因为与传统硅基器件相比,4H SiC 具有固有的优势,例如更高的工作温度和更低的开关损耗。 另一方面,对 SiC 中各种晶体缺陷密度的有限工艺控制,包括基面位错 ...
文章通过分子动力学模拟,对4H-SiC和6H-SiC的碳面和硅面进行了一系列单颗粒划擦分析,研究了材料去除和相应的亚表面缺陷机理。研究表明,材料的变形去除由塑性无定形转变和位错滑移组成,这些位错滑移可能会导致脆性断裂。相对于碳化硅硅面,碳化硅碳面的材料去除效率更高,且非晶变形更少,这种现象与碳化硅(0001)晶面上的...
4H-SiC厚膜外延技术是基于晶体外延技术发展起来的一种技术。该技术通过在晶体基底上沉积一层或多层SiC薄膜,实现了在晶体基底上形成更厚的SiC薄膜的目的。该技术的发展离不开外延生长基底的研究。 首先,外延生长基底的选择对4H-SiC厚膜外延技术至关重要。SiC基底可以分为单晶SiC基底和多晶SiC基底。单晶SiC基底的晶体质...
在sic的主要分类3c-sic、4h-sic、6h-sic中,4h-sic相对于其他二者而言,具有带隙更宽、电子迁移率更高的特点。然而,现有的制造4h-sic的方法体系相对单一,材料制造工艺复杂,产能低下,极大的增加了其生产过程的时间和经济成本,对其工业化大规模生产与应用形成了严重的制约。 2、例如中国专利申请cn104562206a公开了一...
4H-SiC低压同质外延生长和器件验证 近年来,碳化硅(SiC)材料因其优异的物理和化学性质,成为了研究人员关注的焦点之一。4H-SiC是碳化硅中最有前景的结构之一,具有高热导率、较高的击穿场强和较低的漏电流等优点。因此,研究人员对4H-SiC材料的低压同质外延生长和器件验证非常感兴趣。 低压同质外延生长是制备高质量4H-...
近日,山东大学徐现刚教授团队在8英寸导电型碳化硅(SiC)单晶衬底制备技术领域取得新突破。该团队与南砂晶圆半导体公司合作,采用物理气相传输法(PVT)扩径制备了8英寸导电型4H-SiC单晶,并加工成厚度520μm的8英寸4H-SiC衬底,经测试表征,衬底微管密度小于0.3/cm2,4H-SiC晶型比例100%,电阻率平均值22mΩ•cm,不均匀性...