SI2306DS SI2306DS-T1-E3/GE3 SOT-23 N沟道场效应管MOS 30V 3.5A 深圳市万鸿微电子有限公司 2年 月均发货速度: 暂无记录 广东 深圳市 ¥0.04 SI2306 SI2306DS 丝印:A6SHB 贴片 SOT-23 N沟道MOSFET场效应管 深圳市东斯达电子有限公司 6年 月均发货速度: 暂无记录 广东 深圳市 ¥0.44 ...
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SI2306DS-E3 概述 TRANSISTOR 3.5 A, 30 V, 0.057 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-236, TO-236, 3 PIN, FET General Purpose Power 功率场效应晶体管 SI2306DS-E3 规格参数 是否无铅: 不含铅 是否Rohs认证: 符合 生命周期: Obsolete 零件包装代码: SOT-23 包装说明: SMALL OUTLINE, R-PDSO...
SI2306DS -0.8 -0.6 - 0.4 - 0.2 - 0.0 0.2 0.4 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 I D = 250 A 1.0 1.2 0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0 2 4 6 8 10 1 10 I D = 3.5 A 0.01 0 1 6 12 2 4 10 500 0.1 0.00 0.2 0.4 0.6 0.8 ...
厂商型号 SI2306DS 功能描述 N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件大小 57.93 Kbytes 页面数量 4页 生产厂商Vishay Siliconix 企业简称 Vishay【威世科技】 中文名称 威世科技半导体官网 原厂标识 数据手册 下载地址一下载地址二到原厂下载 更新时间 2025-2-10 22:58:00 ...
型号:SI2306DS-T1-GE3-VB 丝印:VB1330 品牌:VBsemi **参数:** - 封装:SOT23 - 沟道类型:N—Channel - 最大电压:30V - 最大电流:6.5A - 开启电阻(RDS(ON)):30mΩ @ VGS=10V, 30mΩ @ VGS=20V - 阈值电压(Vth):1.2~2.2V **应用简介:** SI2306DS-T1-GE3-VB是一款SOT23封装的N—Channe...
型号:SI2306DS 种类:绝缘栅MOSFET 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:DC/直流 封装外形:SMDSO/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 供应商信息 公司地址深圳市福田区华强北街道中航路新亚洲国利大厦N1A055号统一社会信用代码92440300L24309435D 组织机构代码L2430943-5注册资本1万人民币 ...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 其他集成电路 商品关键词 VISHAY、 威世、 SI2306DS、 T1、 E3 商品图片 商品参数 品牌: VISHAY/威世 数量: 5000 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOT-23-3 高度: 1.45 mm 长度: 2.9...