NP2301AVR -2.8A SOT23南麟场效应管代替SI2301P沟道MOS管 深圳市东海信微电子有限公司9年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市 ¥0.08 NP2301AVR 贴片SOT-23 2.8A 场效应管 P沟道MOSFET 代替SI2301P 深圳市领航乔兴电子有限公司2年 月均发货速度:暂无记录 ...
SI2301BDS-T1-BE3 P-CHANNEL 2.5-V (G-S) MOSFET 已售少于100 ￥3.62点击查看更多配送: 广东深圳至 北京东城 快递: 8.00现货,付款后48小时内发货 保障:7天无理由退货查看更多 用户评价 参数信息 图文详情 本店推荐 用户评价 图文详情 本店推荐 EPC21603ENGRT 芯片集成电路IC LASER DRVR 40V 10A LVDS 6B...
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原厂渠道供应SI2301CDS-T1-GE3 MOSFET P-CHANNEL 20-V (D-S) 一片起售 当天发货 原厂原盒原标签 价格 ¥ 0.80 起订数 10个起批 发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 场效应管(MOSFET) 商品关键词 SI2301CDS-T1-GE3、 VISHAY/威世、 SOT23-3 ...
原装SI2301CDS-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3 SI2301CDS 深圳市忠源高科电子有限公司11年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥0.30 SI2301CDS-T1-GE3 SI2303CDS-T1-GE3 SOT-23贴片P沟道MOS场效应管 深圳市安诺芯科技有限公司3年 ...
产品种类 MOSFET RoHS 是 安装风格 SMD/SMT 封装/ 箱体 SOT-23-3 通道数量 1 Channel 晶体管极性 P-Channel Vds-漏源极击穿电压 20 V Id-连续漏极电流 2.8 A Rds On-漏源导通电阻 110 mOhms 最大工作温度 + 150 C Pd-功率耗散 1.25 W 配置 Single 系列 P-Channel Polarity 晶体管...
产品种类: MOSFET RoHS: 是 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOT-23-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: P-Channel Vds-漏源极击穿电压: 20 V Id-连续漏极电流: 3.1 A Rds On-漏源导通电阻: 112 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 4.5 V Vgs th-栅源极阈值电压: 400 ...
原厂渠道供应SI2301CDS-T1-GE3 MOSFET P-CHANNEL 20-V (D-S) 一片起售 当天发货 原厂原盒原标签SI2301CDS-T1-GE3 18000 VISHAY/威世 SOT23-3 21+ ￥0.8000元>=10 个 深圳市鸿富利电子科技有限公司 5年 查看下载 立即询价 查看电话 QQ联系 SI2301CDS-T1-GE3 场效应管 VISHAY/威世 封装原厂封装...
Logic Level P-Channel mosfet, High current, Low voltage, SOT23 A1SHB Product Code 4307 AvailableWedispatch same dayif ordered by 1PM (excluding holidays), then courier usually takes 2-5 days. Quantity Pricing Quantity : Price (Discount%) ...