本文将探讨SGT(屏蔽栅沟槽型MOSFET)是否属于MOSFET器件,并对相关技术特点进行解析。同时,文章还将简要讨论SJ(超结)MOSFET的特点,以阐明两者之间的区别与联系。 SGT是MOSFET器件么 电子器件 电子器件电子器件
新洁能150V Gen.3 SGT MOSFET系列产品介绍 150V Gen.3 SGT MOSFET系列产品采用全新屏蔽栅沟槽技术,特征导通电阻Rsp(导通电阻Ron*芯片面积AA)相对上一代降低43.8%,具备更高的电流密度和功率密度。同时,二极管 2024-08-15 16:36:58 功率器件的散热计算 功率器件及功率模块的散热计算,其目的是在确定的散热条件下...
SGT MOSFET技术优势 SGT MOSFE是一种新型的功率半导体器件,具有传统深沟槽MOSFE的低导通损耗的优点,同时具有更加低的开关损耗。SGT MOSFE作为开关器件应用于新能源电动车、新型光伏发电、节能家电等领域 2020-12-25 14:02:07 碳化硅功率器件的工作原理和性能优势 的物理性能和潜力巨大的市场应用前景,受到了业界的广泛...
在当前竞争激烈的市场环境下,晶恒电子的新产品在智能设备领域中占据了重要的地位。凭借其前沿的电源管理技术,SGT功率MOS器件很可能会引领行业的技术趋势。与其他电源管理器件相比,晶恒电子的这项创新技术在功效和稳定性方面均具有相当大的优势,满足了市场对高效、可靠电源需求不断上升的趋势。随着厂商逐渐意识到能效在用户...
SGT MOSFET-深圳市精勤电子有限公司_电子元器件_TVS_ESD_GDT_TSS防护器件-SGT MOSFET(屏蔽栅沟槽)英文全称:Shield Gate Trench。 海飞乐技术屏蔽栅/分立栅MOSFET技术(Shield Gate Trench MOSFET),MOS器件第一个深沟槽(Deep Trench)作为“体内场板”在反向电压下平衡漂移
2024年11月6日,济南晶恒电子有限责任公司成功获得一项重要专利,名为“集成势垒夹断二极管的SGT功率MOS器件及加工工艺”,该专利的授权公告号为CN113611747B,申请日期追溯至2021年8月。这一专利的取得不仅标志着晶恒电子在功率半导体技术领域的重要突破,也为未来电子设备的能效提升、性能优化奠定了基础。
天眼查消息显示,上海华虹宏力半导体制造有限公司”专利公布,申请公布日为2024年8月9日,申请公布号为CN118471814A。 本申请涉及半导体集成电路制造技术领域,具体涉及一种SGT器件的制造方法。包括以下步骤:提供半导体层,刻蚀半导体层形成深沟槽结构;在深沟槽结构中制造位于深沟槽结构下部的屏蔽栅结构和将屏蔽栅结构与半导体...
一种高耐压SGT器件,包括半导体基板、制备于所述半导体基板中心区的有源区以及 用于保护所述有源区的终端区;有源区包括若干并联分布的元胞,有源区内的元胞采用SGT 结构;终端区至少包括一邻近并环绕所述有源区的终端内环,所述终端内环包括终端环槽; 其特征是: 在所述SGT器件的俯视平面上,有源区内的元胞呈长...
1.一种sgt器件的制作方法,其特征在于,包括: 2.如权利要求1所述的sgt器件的制作方法,其特征在于,去除所述沟槽上部的线氧化层的部分厚度之后、去除所述沟槽下部的所述牺牲材料层之前,所述沟槽上部保留的线氧化层仍覆盖所述沟槽上部的侧壁。 3.如权利要求1所述的sgt器件的制作方法,其特征在于,去除所述沟槽上部的...
本发明涉及半导体器件制造的,特别涉及一种sgt器件的工艺方法及sgt器件。 背景技术: 1、mosfet大致可以分为以下几类:平面型mosfet;trench (沟槽型)mosfet,主要用于低压领域;sgt(shielded gate transistor,屏蔽栅沟槽)mosfet,主要用于中压和低压领域;sj-(超结)mosfet,主要在高压领域应用。