SGT器件结构主要由源极、漏极、栅极、控制源极和衬底组成,其中控制源极用于控制源极与栅极之间的电场,从而实现对漏极电流的控制。与传统晶体管相比,SGT器件结构具有更高的速度、更小的功耗和更好的线性性能,可广泛应用于数字电路、射频电路和生物传感等领域。©2022 Baidu |由 百度智能云 提供计算服务 | 使用百度前必读 | 文库协议 | 网站地图 | 百度营销
集成SBR的SGT MOSFET的器件结构.pdf,本申请公开的属于半导体技术领域,具体为集成SBR的SGTMOSFET的器件结构,包括器件元胞单元,器件元胞单元包括第一导电类型衬底及位于第一导电类型衬底上的第一导电类型漂移区,在第一导电类型漂移区上开设有SBR沟槽,且SBR沟槽中设置有P
一种新型SGT‑MOSFET器件栅结构,屏蔽 栅左右两侧各有个控制栅,因此器件在正向阻断 时,屏蔽栅外围的绝缘介质辅助耗尽半导体漂移 区,提高了半导体漂移区浓度,有利于降低比导 通电阻,器件正向导通时,半导体漂移区产生电 子积累层,屏蔽栅外围的绝缘介质增强积累效 ...
- 专利名称: SGT MOS管的器件结构制备方法 - 专利号: CN202411442909.2 - 公布日期: 2025年3月11日 - 申请人: 上海芯导电子科技股份有限公司 - 发明人: 魏雪娇、陈敏、欧新华、袁琼、戴维 - 专利摘要: 该发明通过在外延层表面和凹槽侧壁形成多层结构,优化了沟槽氧化层的厚度,减少对外延层的消耗,从而提高了SG...
一种集成SBR的SGTMOSFET的器件结构及其制作方法专利信息由爱企查专利频道提供,一种集成SBR的SGTMOSFET的器件结构及其制作方法说明:本发明公开了一种集成SBR的SGT...专利查询请上爱企查
上下结构SGT器件的制备方法及SGT器件专利信息由爱企查专利频道提供,上下结构SGT器件的制备方法及SGT器件说明:本发明涉及半导体制造技术领域,公开了一种上下结构SGT器件的制备方法及SGT器件,包括:刻蚀掩膜氧化...专利查询请上爱企查
带有SGT结构MOS器件的多晶硅栅刻蚀方法,至少包括以下步骤:提供沉淀有多晶硅层的器件;将所述器件置入刻蚀系统中;提供六硫化氟气体作为刻蚀气体,在所述刻蚀系统中射频放电的作用下,所述刻蚀气体形成等离子体束;通过所述等离子体束对所述器件的多晶硅层进行无偏压射频溅射,各向同性刻蚀形成多晶硅栅。本申请可以解决相关技术...
江苏芯唐取得低成本抗ESD的SGT器件专利，有效减小保护结构面积降低成本 金融界2024年11月27日消息，国家知识产权局信息显示，江苏芯唐微电子有限公司取得一项名为“一种低成本抗ESD的SGT器件”的专利，授权公告号CN 222051769 U，申请日期为2023年12月。专利摘要显示，本实用新型公开了一种低成本抗ESD的SGT器件，包括...
华羿微电子申请抑制中压 SGT MOSFET 横向漏电终端设计结构专利，有效提升分立器件正向耐压特性和可靠性 金融界 2024 年 11 月 11 日消息，国家知识产权局信息显示，华羿微电子股份有限公司申请一项名为“抑制中压 SGT MOSFET 横向漏电的终端设计结构、制作方法及应用”的专利，公开号 CN 118919555 A，申请日期为 2024...
包含SGT结构的MOSFET器件的制作方法专利信息由爱企查专利频道提供,包含SGT结构的MOSFET器件的制作方法说明:本发明提供了一种包含SGT结构的MOSFET器件的制作方法,包括:在衬底内形成多个间隔的SGT...专利查询请上爱企查