对于IGBT器件而言，其核心参数包括饱和压降典型值、关闭损耗、二极管正向压降以及栅极电荷。而对于SJ MOS管和SGT MOS管，其关键性能指标则主要聚焦于导通电阻与栅极电荷的乘积优值以及单纯的导通电阻。这些参数不仅决定了器件的性能优劣，更是各类应用场景选择功率器件的重要依据。
Sgt功率器件的材料特性影响短路时的性能表现。制造工艺精度对Sgt功率器件短路能力有重要作用。不同结构设计的Sgt功率器件短路能力存在差异。高掺杂浓度可提升Sgt功率器件的短路承受力。优化的沟道长度利于改善Sgt功率器件短路能力。适当的栅极设计能增强Sgt功率器件短路响应。Sgt功率器件的散热性能影响短路时的稳定性。 短路...
届时,江南大学教授/博导黄伟将受邀出席会议,并带来《高性能宇航级SGT功率器件与辐照模型研究》的主题报告,将聚焦宇航电子领域对高可靠功率器件的迫切需求,分享相关最新研究成果,敬请关注! 嘉宾简介 黄伟 北京大学博士,国家人才计划入选者。长期从事模拟器件与特色工艺研究,在功率器件、微波毫米波器件与工艺、异质集成与异构...
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目前市场上主流的功率器件有用于大功率的IGBT、中低压高频的SGT MOS以及高压的超结SJ MOS(成电陈星弼院士提出,/骄傲脸✨),功率器件评价的普遍标准是: 在达到耐压规格后,功率损耗最小者为优 通常用品质因子FOM=Rsp x Qg来衡量 (比导通电阻Rsp=Rdson x Active Area是用来消除面积差异的,根据电阻定义式,R=pL/...
2024年11月6日,从金融界获悉,济南晶恒电子有限责任公司近日取得了一项目标显著的专利,名为“集成势垒夹断二极管的SGT功率MOS器件及加工工艺”。这项专利的授权公告号为CN113611747B,申请日期则为2021年8月。随着该专利的获得,晶恒电子的研发成果将对半导体产业的发展起到重要推动作用。 首先,深入了解该专利的核心功能...
安建半导体推出针对大电流高功率应用的SGT MOSFET器件 近年來,工业及消费市场对于系统的要求不断提高,为达到更优秀的效率、可靠性及热性能,MOSFET作为功率核心部件担当着非常重要的角色。安建半导体为满足不断发展及增长的解决方案需求,除了在传统直插式封装,如TO-220及TO-247,及性能较高的贴片式封装,如TOLL及TO-263...
晶恒电子取得集成势垒夹断二极管的 SGT 功率 MOS 器件及加工工艺专利 金融界 2024 年 11 月 6 日消息，国家知识产权局信息显示，济南晶恒电子有限责任公司取得一项名为“集成势垒夹断二极管的 SGT 功率 MOS 器件及加工工艺”的专利，授权公告号 CN 113611747 B，申请日期为 2021 年 8 月。本文源自：金融界 作者...
一文看懂SGTMOSFET的市场前景 uSGT MOSFET的市场前景SGT-MOS的全称是“Split Gate Trench-MOSFET”,中文叫屏蔽栅沟槽型功率MOSFET。SGT-MOS严格意义上来说,在工艺上并没有 2024-11-08 10:36:34 大功率耦合器工作原理是什么? 大功率耦合器是一种被广泛应用于射频和微波系统中的器件,用于将功率从一个传输线耦合到...
深圳市博特半导体有限公司是一家致力于半导体功率器件以及智能芯片的研发、制造、销售为一体企业,产品广泛应用于智能工控、新能源、5G通讯、各种智能家电产品,已形成高压MOSFET、中低压MOSFET产品系列,智能电源管理集成电路等产品门类。