屏蔽栅沟槽型功率 MOSFET,简称SGT-MOS,是Split Gate Trench-MOSFET的一种简写,SGT-MOS 系列产品采用了具有电荷平衡功能的屏蔽栅深沟槽(Split Gate Trench)技术,全面提升了器件的开关特性和导通特性, 同时降低了器件的特征导通电阻(Rsp)和栅极电荷(Qg)。 同时SGT技术全面提升了产品的导通电阻温度特性,有效控制了器件导...
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SGT的旅居生活 2月19日 16:15 来自iPhone 13 Pro 上礼拜是sgt daddy生日,我俩平时都不过生日,所以也没特别对待,他们仨要求我自己做个蛋糕,所以我做了这个基础款,泰国的奶油比不了英国的质量,淡奶油里加了马斯克彭奶酪打发也没有达到很浓厚的感觉,好在吹蜡烛的功效还是可以支持的。我们去年夏天在曼谷住的那几...
SGT-MOSFET（屏蔽栅沟槽MOSFET）是一种创新的沟槽式功率MOSFET，基于传统沟槽式MOSFET（U-MOSFET）的改进。通过运用电荷平衡技术理论，SGT-MOSFET在传统功率MOSFET中引入额外的多晶硅场板进行电场调制，从而提升了器件的耐压能力和降低了导通电阻。这种结构设计使得SGT-MOSFET具有导通电阻低、开关损耗小、频率特性优越等显著...
SGT MOSFET产品主要应用于中压和低压领域,广泛应用于电机驱动系统、逆变器系统及锂电保护板,是核心功率控制部件。 本期内容要点主要围绕SGT MOSFET的工艺特点、优势特点、应用领域(电动工具、锂电保护板上)展开讲解。 一.工艺特点 SGT MOS工艺比普通沟槽更加简单,开关损耗更小。
SGT SGT-MOSFET是对Trench MOS的一种改良结构。较传统Trench MOSFET,SGT-MOSFET在栅电极下方增加了一块多晶硅电极,即屏蔽电极或称耦合电极。屏蔽电极与源电极相连,即实现了屏蔽栅极与漂移区的作用,减小了米勒电容,器件的开关速度得以加快,同时又实现了电荷耦合效应,减小了漂移区临界电场强度,器件的导通电阻得以减小,开关...
微碧半导体最近推出了一款全新的功率MOSFET产品，名为SGT（Shielded Gate Trench屏蔽栅沟槽）技术。这项技术通过改变MOSFET内部电场的形态，将传统的三角形电场变为类似压缩的梯形电场，从而进一步减小EPI层的厚度，降低导通电阻Rds(on)。微碧的新一代中低压功率MOSFET产品已广泛采用SGT技术。包括VBGQT1102、VBGM1102、VBGL...