单位重量 1.450 g 可售卖地 全国 型号 SCTH90N65G2V-7 PDF资料 集成电路-其他集成电路-SCTH90N65G2V-7-ST/意法半导体-H2PAK-7-22+.pdf 下载 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家...
SCTH90N65G2V-7 - 碳化硅功率MOSFET,650 V、116 A、18 mOhm(典型值,TJ = 25°C),H2PAK-7封装, SCTH90N65G2V-7, STMicroelectronics
N.º de producto de DigiKey 497-18352-2-ND - Cinta y rollo (TR) 497-18352-1-ND - Cinta cortada (CT) 497-18352-6-ND - Digi-Reel® Fabricante STMicroelectronics Número de pieza del fabricante SCTH90N65G2V-7 Descripción SICFET N-CH 650V 90A H2PAK-7 Plazo estándar del...
制造商编号SCTH90N65G2V-7 制造商ST(意法半导体) 唯样编号N-SCTH90N65G2V-7-0 供货海外代购代购 无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs 描述 数据手册 PDF资料下载 暂无数据 参数信息常见问题 参数有误? 技巧:勾选主要参数,留空一些可替代的参数,点击查看相似商品,即可快速找到替代品了!
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SCTH90N65G2V-7碳化硅功率 MOSFET 器件是使用 ST 开发的先进和创新的第二代SiC MOSFET技术。 装置具有单位面积导通电阻极低和良好的开关特性表现。 开关损耗的变化几乎与结无关温度。 产品参数: 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: SiC 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: H2PAK-7 晶体管极性: N...
SCTH90N65G2V-7简述 制造商:STMicroelectronics 批号:新批次 描述:MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 90 A, 22 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an H2PAK-7 package SCTH90N65G2V-7详细参数 SCTH90N65G2V-7价格 暂无价格,请联系询价 ...
制造商产品型号:SCTH90N65G2V-7 制造商:ST(意法半导体,STMicroelectronics) 描述:SICFET N-CH 650V 90A H2PAK-7 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个 产品系列:- 零件状态:有源 FET类型:N 通道 技术:SiCFET(碳化硅) 漏源电压(Vdss):650V
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