单位重量 1.450 g 可售卖地 全国 型号 SCTH90N65G2V-7 PDF资料 集成电路-其他集成电路-SCTH90N65G2V-7-ST/意法半导体-H2PAK-7-22+.pdf 下载 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家...
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SCTH90N65G2V-7 - 碳化硅功率MOSFET,650 V、116 A、18 mOhm(典型值,TJ = 25°C),H2PAK-7封装, SCTH90N65G2V-7, STMicroelectronics
SCTH90N65G2V-7 Mounting Type standard Description standard Application SICFET N-CH 650V 90A H2PAK-7 Type standard Series standard Features standard Manufacturing Date Code standard Supplier: Shenzhen Haorui Network Technology Co., Ltd. Lead Free Status: Lead free / RoHS Compliant Datasheet: Plea...
唯样商城为您提供STMicro设计生产的SCTH90N65G2V-7 元器件,主要参数为:,SCTH90N65G2V-7库存充足,购买享优惠!
SCTH90N65G2V-7碳化硅功率 MOSFET 器件是使用 ST 开发的先进和创新的第二代SiC MOSFET技术。 装置具有单位面积导通电阻极低和良好的开关特性表现。 开关损耗的变化几乎与结无关温度。 产品参数: 产品种类:MOSFET RoHS: 详细信息 技术: SiC 安装风格: SMD/SMT ...
制造商产品型号:SCTH90N65G2V-7 制造商:ST(意法半导体,STMicroelectronics) 描述:SICFET N-CH 650V 90A H2PAK-7 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个 产品系列:- 零件状态:有源 FET类型:N 通道 技术:SiCFET(碳化硅) 漏源电压(Vdss):650V 25°C时电流-连续漏极(Id):90A(Tc) 驱动电压(最大RdsOn,最...
型号 SCTH90N65G2V-7 技术参数 品牌: ST/意法半导体 型号: SCTH90N65G2V-7 封装: H2PAK-7 批号: 23+ 数量: 5000 制造商: STMicroelectronics 产品种类: MOSFET RoHS: 是 技术: SiC 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: H2PAK-7 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压:...
型号: SCTH90N65G2V-7 封装: HIP247 批号: 22+ 数量: 1000 制造商: STMicroelectronics 产品种类: MOSFET RoHS: 是 技术: SiC 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: H2PAK-7 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 650 V Id-连续漏极电流: 90 A Rds On-漏源导通电阻: 26...
型号 SCTH90N65G2V-7 技术参数 品牌: ST(意法) 型号: SCTH90N65G2V-7 批号: 23+ 数量: 2250 制造商: STMicroelectronics 产品种类: MOSFET RoHS: 是 技术: SiC 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: H2PAK-7 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 650 V Id-连续漏极...