单位重量 1.892 g 可售卖地 全国 型号 SCTH40N120G2V7AG PDF资料 集成电路-其他集成电路-SCTH40N120G2V7AG-ST/意法半导体-原厂包装-23+.pdf 下载 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家...
规格 请选择规格 属性 品牌:其他 型号:SCTH40N120G2V7AG 种类:结型(JFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:A/宽频带放大 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:ALGaAS铝镓砷 是否跨境出口专供货源:否 货号:22 批号:22 封装:H2PAK-7 评价 0.0 ...
SCTH40N120G2V-7批量生产 储存到myST Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mOhm typ., 36 A in an H2PAK-7 package 下载数据手册 Order Direct 概述 样片和购买 文件 CAD资源 质量与可靠性 产品概述 描述 所有功能 特别推荐 描述 This silicon carbide Power MOSFET device has been developed...
SCTH40N120G2V-7 Mounting Type standard Description standard Application H2PAK-7 Type standard Series standard Features standard Manufacturing Date Code standard Supplier: Shenzhen Haorui Network Technology Co., Ltd. Lead Free Status: Lead free / RoHS Compliant Datasheet: Please contact us Shipping by...
SCTH40N120G2V-7 SMT扩展库 嘉立创SMT补贴 描述 碳化硅功率 MOSFET 1200 V、62 mOhm(典型值)、36 A,采用 H2PAK-7 封装 品牌名称ST(意法半导体) 商品型号 SCTH40N120G2V-7 商品编号 C3277217 商品封装 H2PAK-7 包装方式 编带 商品毛重 1克(g) ...
Key attributes Other attributes Place of Origin original Brand Name original Model Number SCTH40N120G2V-7 Mounting Type original Description original Packaging and delivery Selling Units: Single item Single package size: 5X5X5 cm Single gross weight: 1.000 kgCustomizationKnow your supplier...
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SCTH40N120G2V7AG Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H2PAK-7 package Parameters ECCN US EAR99 ECCN EU NEC Packing Type Tape And Reel RoHs compliant Ecopack1 Grade Automotive Package Name H2PAK-7 Description This silicon carbide Power MOSFET ...
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