型号 SCTH35N65G2V-7AG 技术参数 品牌: ST(意法) 型号: SCTH35N65G2V-7AG 批号: 23+ 数量: 2250 制造商: STMicroelectronics 产品种类: MOSFET RoHS: 是 技术: SiC 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: H2PAK-7 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 650 V Id-连续...
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功率晶体管 宽带隙晶体管 STPOWER碳化硅MOSFET SCTH35N65G2V-7AG SCTH35N65G2V-7AG批量生产 储存到myST 汽车级碳化硅功率MOSFET,650 V、45 A、55 mOhm(典型值,TJ = 25 C),H2PAK-7封装 下载数据手册 Order Direct 概述 样片和购买 文件 CAD资源 工具与软件 质...
商品型号SCTH35N65G2V-7AG 商品编号C3288435 商品封装H2PAK-7 包装方式 编带 商品毛重 3.1克(g) 数据手册 商品参数 参数纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录 碳化硅场效应管(MOSFET) 沟道类型 1个N沟道 V(BR)DSS-漏源击穿电压 650V 属性参数值 Id-漏极电流(25℃) 45A Pd-功耗 208W ...
SCTH35N65G2V-7AG Datasheet Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET, 650 V, 55 mΩ typ., 45 A in an H2PAK-7 package Features TAB 7 1 H 2PAK-7 • • • • Order code VDS RDS(on) max. ID SCTH35N65G2V-7AG 650 V 67 mΩ 45 A AEC-Q101 qualified Very fast an...
封装: N/A 系列: SCTH35N65G2V-7AG 批号: 2022+ 产品说明: 原装 包装: 原盘 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准。 特别提示:商品详情页中(...
Select now Package(1): H2PAK-7 H2PAK-7 D/C(1): N/A N/A Specification(1) SCTH35N65G2V-7AG ShippingShipping solutions for the selected quantity are currently unavailable Start order request Contact supplier Protections for this product Secure payments Every payment you make on ...
SCTH35N65G2V-7AG,SCTH35N65G2V-7AG是ST公司(意法半导体)常见的电子元件型号之一,技术参数:SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7,器件封装:H2PAK-7。
Datasheets SCTH35N65G2V-7AG Product Attributes Id-连续漏极电流 : 45 A Pd-功率耗散 : 208 W Qg-栅极电荷 : 73 nC Rds On-漏源导通电阻 : 37 mOhms Vds-漏源极击穿电压 : 650 V Vgs - 栅极-源极电压 : 20 V Vgs th-栅源极阈值电压 : 3.2 V 安装风格 : SMD/SMT 封装: ...
型号 SCTH35N65G2V-7AG 技术参数 品牌: ST 型号: SCTH35N65G2V-7AG 数量: 2000 制造商: STMicroelectronics 产品种类: MOSFET RoHS: 是 技术: SiC 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: H2PAK-7 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 650 V Id-连续漏极电流: 45 A Rd...