SCTH35N65G2V-7AG - 汽车级碳化硅功率MOSFET,650 V、45 A、55 mOhm(典型值,TJ = 25 C),H2PAK-7封装, SCTH35N65G2V-7AG, STMicroelectronics
型号 SCTH35N65G2V-7AG 技术参数 品牌: ST 型号: SCTH35N65G2V-7AG 数量: 2000 制造商: STMicroelectronics 产品种类: MOSFET RoHS: 是 技术: SiC 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: H2PAK-7 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 650 V Id-连续漏极电流: 45 A Rd...
唯样商城为您提供STMicro设计生产的SCTH35N65G2V-7AG 元器件,主要参数为:,SCTH35N65G2V-7AG库存充足,购买享优惠!
Datasheets SCTH35N65G2V-7AG Product Attributes Id-连续漏极电流 : 45 A Pd-功率耗散 : 208 W Qg-栅极电荷 : 73 nC Rds On-漏源导通电阻 : 37 mOhms Vds-漏源极击穿电压 : 650 V Vgs - 栅极-源极电压 : 20 V Vgs th-栅源极阈值电压 : 3.2 V 安装风格 : SMD/SMT 封装: ...