型号 SCTH35N65G2V-7AG 技术参数 品牌: ST(意法) 型号: SCTH35N65G2V-7AG 批号: 23+ 数量: 2250 制造商: STMicroelectronics 产品种类: MOSFET RoHS: 是 技术: SiC 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: H2PAK-7 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 650 V Id-连续...
封装: N/A 系列: SCTH35N65G2V-7AG 批号: 2022+ 产品说明: 原装 包装: 原盘 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准。 特别提示:商品详情页中(...
SCTH35N65G2V-7AG - 汽车级碳化硅功率MOSFET,650 V、45 A、55 mOhm(典型值,TJ = 25 C),H2PAK-7封装, SCTH35N65G2V-7AG, STMicroelectronics
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最大电源电压 7V 长度 2.8mm 宽度 6.2mm 高度 2.4mm 可售卖地 全国 型号 SCTH35N65G2V-7AG 太航半导体官方网站:http://www.thicg.com 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成...
晶体管类型 1 N - Channel 商标 STMicroelectronics 下降时间 14 ns 产品类型 MOSFET 上升时间 9 ns 工厂包装数量 1000 子类别 MOSFETs 典型关闭延迟时间 35 ns 典型接通延迟时间 16 ns 可售卖地 全国 型号 SCTH35N65G2V-7AG PDF资料 集成电路-其他集成电路-SCTH35N65G2V-7AG-ST-H2...
型号 SCTH35N65G2V-7AG 技术参数 品牌: ST/意法 型号: SCTH35N65G2V-7AG 批号: 2324+ 数量: 6550 制造商: STMicroelectronics 产品种类: MOSFET RoHS: 是 技术: SiC 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: H2PAK-7 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 650 V Id-连续...
型号 SCTH35N65G2V-7AG 技术参数 品牌: ST 型号: SCTH35N65G2V-7AG 数量: 2000 制造商: STMicroelectronics 产品种类: MOSFET RoHS: 是 技术: SiC 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: H2PAK-7 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 650 V Id-连续漏极电流: 45 A Rd...