型号 SCTWA90N65G2V-4 技术参数 品牌: ST/意法 型号: SCTWA90N65G2V-4 封装: HiP247-4 批号: 23+ 数量: 1800 制造商: STMicroelectronics FET 类型: N 通道 技术: SiCFET(碳化硅) 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 119A(Tc) 不同Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 24 毫欧 @ 50A,18V 不同...
SCTWA90N65G2V-4 Mounting Type standard Description standard Application HiP247 Type standard Series standard Features standard Manufacturing Date Code standard Supplier: Shenzhen Haorui Network Technology Co., Ltd. Lead Free Status: Lead free / RoHS Compliant Datasheet: Please contact us Shipping by:...
SCTWA90N65G2V-4,ST场效应管原装供货 主营产品:MCU单片、存储芯片、晶振、滤波双工器、传感器、射频IC、汽车芯片、定位芯片、耦合器。 STM32G071KBU6功能描述: 主流Arm Cortex-M0+ MCU,具有128 KB Flash存储器、36 KB RAM、64 MHz CPU、4x USART、定时器、ADC、DAC和通信接口,1.7-3.6V ...
SCTWA90N65G2V-4 - Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 119 A in an HiP247-4 package, SCTWA90N65G2V-4, STMicroelectronics
MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V 封装/规格 TO-247-4 产品详情 SCTWA90N65G2V-4碳化硅功率 MOSFET 器件是使用 ST 开发的先进和创新的第二代SiC MOSFET技术。 装置具有单位面积导通电阻极低和良好的开关特性表现。 开关损耗的变化几乎与结无关温度。 产品参数: 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 ...
SCTWA90N65G2V-4品牌:ST/意法半导体年份:2021封装:HiP247-4规格:数量:36566浏览次数:14次上一个:下一个产品下一个:上一个产品详细资料 规格参数 包装 为您推荐 BZT52C5V6 1N4148WS 1N4148W ZMM5V1 LL4148 ZMM3V3 BZT52C10 BZT52C5V1S24小时服务热线0755-82567755 产品中心 电子元器件 贴片自恢复保险丝 熔断...
Vgs(最大值) +22V,-10V 功率耗散(最大值) 565W(Tc) 工作温度 -55°C ~ 200°C(TJ) 安装类型 通孔 供应商器件封装 HiP247™ 长引线 封装/外壳 TO-247-3 漏源电压(Vdss) 650 V 基本产品编号 SCTWA90 可售卖地 全国 型号 SCTWA90N65G2V-4 PDF资料 集成电路-其他集成电路-SCTWA9...
Vgs(最大值) +22V,-10V 功率耗散(最大值) 565W(Tc) 工作温度 -55°C ~ 200°C(TJ) 安装类型 通孔 供应商器件封装 HiP247™ 长引线 封装/外壳 TO-247-3 漏源电压(Vdss) 650 V 基本产品编号 SCTWA90 可售卖地 全国 型号 SCTWA90N65G2V-4 PDF资料 集成电路-其他集成电路-SCTWA9...
型号: SCTWA90N65G2V-4 封装: TO-247 批号: 22+ 数量: 1000 制造商: STMicroelectronics FET 类型: N 通道 技术: SiCFET(碳化硅) 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 119A(Tc) 不同Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 24 毫欧 @ 50A,18V 不同Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V @ 1mA Vgs(最大值)...
型号: SCTWA90N65G2V-4 封装: HIP247-4 批次: 21+ 数量: 2000 制造商: STMicroelectronics FET 类型: N 通道 技术: SiCFET(碳化硅) 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 119A(Tc) 不同Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 24 毫欧 @ 50A,18V 不同Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V @ 1mA Vgs(最大值...