型号 SCTWA70N120G2V-4 技术参数 品牌: ST(意法) 型号: SCTWA70N120G2V-4 批号: 23+ 数量: 2250 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -10C 最大工作温度: 125C 最小电源电压: 1.5V 最大电源电压: 7.5V 长度: 2mm 宽度: 3.8mm 高度: 2.9mm 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价...
爱企查为您提供深圳市恒利通电子商务有限公司SCTWA70N120G2V-4 ST/意法半导体 原装 2023+ IC 集成电路等产品,您可以查看公司工商信息、主营业务、详细的商品参数、图片、价格等信息,并联系商家咨询底价。欲了解更多集成电路 IC信息,请访问爱企查!
SCTWA70N120G2V-4 中文资料规格参数 反馈错误 参数列表 搜索代替器件 其他 通道类型 N 最大连续漏极电流 91 A 最大漏源电压 1200 V 封装类型 HiP247-4 安装类型 通孔 引脚数目 4 最大漏源电阻值 0.03% Ω 通道模式 增强 最大栅阈值电压 4.9V ...
SCTWA70N120G2V-4,ST场效应管原装供货 主营产品:MCU单片、存储芯片、驱动芯片、接口IC、蓝牙芯片、监控芯片、WIFI芯片、网络通讯芯片、汽车芯片、定位芯片、耦合器。 STM32F030F4P6特性: STM32F030x4/x6/x8/xC微控制器集成了Arm®皮质®-工作频率为48 MHz的M0 32位RISC内核、高速嵌入式存储器(高达256千字...
SCTWA70N120G2V-4 描述 碳化硅功率 MOSFET 1200 V、21 mOhm(典型值)、91 A,采用 HiP247-4 封装 品牌名称ST(意法半导体) 商品型号 SCTWA70N120G2V-4 商品编号 C5268808 商品封装 HiP-247-4 包装方式 管装 商品毛重 7.987克(g) 商品参数
SCTWA70N120G2V-4 Mounting Type HiP-247-4 Description IPLK80R1K4P7 Application Chip catalog (yy-ic.com) Type TLE4984C-XAA-F47 Series IRS2461S Features SLS 32TLC001S4 MCC8I Manufacturing Date Code SAL-TC212L-8F133N AC Service area 1 One-stop full range of integrated circuit supporti...
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SCTWA70N120G2V-4 Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mOhm typ., 91 A in an HiP247-4 package Parameters ECCN US EAR99 ECCN EU NEC Packing Type Tube RoHs compliant Ecopack2 Grade Industrial Package Name HiP247-4 Description This silicon carbide Power MOSFET device has been developed...
爱企查为您提供深圳市科昂电子集团有限公司SCTWA70N120G2V-4 电子元器件 ST 封装NA 批次新年份等产品,您可以查看公司工商信息、主营业务、详细的商品参数、图片、价格等信息,并联系商家咨询底价。欲了解更多xc7z045-2ffg676i、xc7z035-2ffg676i、xc7z015-1clg485c、xc7z02
电压- 输入: 15V ~ 25V 输出数: 1 电压- 输出: 13V,18V 工作温度: 0°C ~ 85°C 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 20-SOIC(0.433",11.00mm 宽)裸露焊盘 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用...