三菱电机株式会社于6月10日起，为大型工业设备如机车车辆和电力系统，正式出货低电流版本的3kV/400A和3kV/200A肖特基势垒二极管（SBD）嵌入式碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）模块。与现有3kV/800A版本一同，新推出的UnifullTM系列包含三款模块，旨在满足大型工业设备对高性能逆变器的迫切需求，提...
【新品】三菱电机推出..【新品】三菱电机推出两款新型SBD嵌入式SiC-MOSFET模块Unifull™ 3.3kV SBD嵌入式SiC-MOSFET模块三菱电机集团近日(2024年6月10日)宣布,从6月10日起开始为包括
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图7 集成SBD的SiC MOSFET 实现了SiC MOSFET和SiC SBD一体化 三菱电机声称,采用前序部分新发布的芯片结构,能够使内置SBD的SiC MOSFET模块抗浪涌电流能力比本公司现有技术提高了5倍以上,与广泛使用的传统Si功率模块相当或更大。采用的具体技术是在:仅选用芯片总面积占比不到1%的SiC MOSFET元胞不配置SBD。这些元胞与...
🔍 探索雷思诺开关的世界,我们发现了一款备受瞩目的产品——SBD肖特基二极管和MOSFET开关管。这些组件在电力电子领域有着广泛的应用,为各种电路提供了稳定可靠的开关功能。💡 SBD肖特基二极管,以其快速开关速度和低正向压降而闻名,是电子设备中的关键组件。我们提供650V、1200V和1700V系列的产品,满足不同电路的需求。
SiC MOSFET:具有较低的导通电阻,这得益于SiC材料的高载流子迁移率和低电阻率。低导通电阻意味着在导通状态下,器件的功耗更低,效率更高。 SiC SBD:虽然其导通压降也相对较低,但相比于SiC MOSFET来说,其导通电阻可能稍高一些。不过,在高频和高效率应用中,SiC SBD的导通电阻仍然是可以接受的。
同样地,只有电子是载流子,SBD变成了类似MOSFET的单极元件。硅的能级不同于金属(能隙)。该能级因金属元素而异。符号ΦB用于表示不同的能隙。Pt(铂)是一种具有大能隙的金属。V(钒)或Ti(钛)是具有小能隙的金属。采用ΦB大的金属,泄漏电流小,但是正向电压VF大。采用ΦB小的金属,则情况相反。
7月25日,芯合半导体有限公司在北京国家信息技术应用创新展示中心举办了产品发布会,对外宣告了重要里程碑:正式发布自主研发生产的多款碳化硅功率芯片产品,包括SiC SBD、SiC MOSFET两个系列。 现场共有30多位功率半导体应用相关企业代表、碳化硅芯片领域的专家以及投资方汇聚本次发布会,其中包括大型新能源车企、风光储能上市...
2023年5月8日,三菱电机宣布将于5月31日开始新型肖特基势垒二极管(SBD)-嵌入式碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)模块的送样,该模块具有3.3kV的双重耐压和6.0kVrms的介电强度。 新模块有望为铁路和电力系统等大型工业设备的逆变器系统提供卓越的功率、效率和可靠性。三菱电机已经发布了四个完整的SiC模...
(54)发明名称集成SBD的碳化硅SGT-MOSFET及其制备方法(57)摘要本发明涉及功率半导体技术领域,提出一种集成SBD的碳化硅SGT‑MOSFET及其制备方法,方法包括:提供衬底,在衬底上表面依次生长N‑型漂移区、P‑型掺杂区、N+型掺杂区和P+型掺杂区,P+型掺杂区位于N+型掺杂区外围;刻蚀栅极沟槽;在栅极沟槽底部拐角形成P+...