公司提供硅基(包括SBD、FRED、MOSFET、IGBT、ESD)与碳化硅基(SiC - SBD、SiC - MOSFET)等功率半导体器件产品。 公司在存储芯片领域有涉及,代理的存储类芯片涵盖DRAM,NANDFlash,EMMC和SSD等多种存储器件。 传感器概念 公司基于子公司在光电转换和图像处理的模拟IC和数字IC产品的技术储备,提供光学传感器等产品。 英唐智...
在这场电子行业的盛会中,希尔电子紧扣主题,四大核心产品线闪耀登场——整流器件、FRD器件、IGBT器件和SiC SBD/MOSFET,吸引了行业客户瞩目。 整流器件 涵盖600V-2500V全电压段,电流0.5A-300A,全型号、全系列、全方位满足客户多样化的需求。 FRD器件 涵盖200V-2000V全电压段,电流4A-400A,TO-220、TO-263、TO-3P...
在产品方面,意发功率半导体以FRD、SBD 和MOSFET产品为切入点,以电流15-100A的450V,600V,1200V,1700V平面和沟槽型IGBT、COOLMOST和碳化硅器件产品为主攻方向,开发和生产世界先进水平的耗功率开关器件,从大功率开关电源、大功率LED照明、UPS、电焊机等领域入手,并持续扩大市场份额。 近些年来,意发功率半导体发展势头...
碳化硅sbd芯片和碳化硅mosfet芯片分享: 浅谈硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动的区别延迟时间。碳化硅MOSFET驱动信号传输延迟需小于200ns,传输延迟抖动小于20ns,可通过以下方式实现: · 采用数字隔离驱动芯片,可以达到信号传输延迟50ns,并且具有比较高的一致性,传输抖动
碳化硅MOSFET不像IGBT那样具有上升电压,因此在整个电流范围内具有低导通损耗。此外,Si MOSFET在室温下的导通电阻在150C时增加了100%。但是,对于SiC MOSFET,增长率相对较低,从而简化了热设计,同时即使在高温下也能确保低导通电阻。 驱动栅极电压和导通电阻
罗姆面向工业设备和太阳能发电功率调节器等的逆变器、转换器,开发出耐压高达1200V的第2代SiC MOSFET“SCH2080KE”。本产品实现SiC-SBD与SiC-MOSFET的一体化封装,比Si-IGBT相比,工作损耗降低了70%,并可达到50kHz以上的开关频率。 本产品于世界首次成功实现SiC-SBD与SiC-MOSFET的一体化封装。内部二极管的正向电压(VF...
肖特基势垒二极管(SBD)作为一种二极管,在半导体(通常是n型半导体)与金属(例如铂(Pt)、钼(Mo)或钛(Ti))之间形成一个结,但非一个pn结。 SBD专门利用金属的功函数(即从金属表面去除电子所需的能量)与半导体的电子亲和力之间的差异所产生的肖特基势垒。(如为n型半导体,仅当金属的功函数高于n型半导体时,才会...
MOSFET应用于开关电源、镇流器、高频感应加热、高频逆变焊机、通信电源等等高频电源领域；IGBT集中应用于焊机、逆变器、变频器、电镀电解电源、超音频感应加热等领域。场效应管主要有两种类型，分别是结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）。MOS管即MOSFET，中文全称是金属-氧化物半导体场效应晶体管...
目前，华微电子已形成以IGBT、MOSFET、SCR、SBD、IPM、FRD、BJT、多芯片模块等新型功率半导体器件为营销主线的系列产品，覆盖了功率半导体器件的全部范围，广泛应用于新能源汽车、光伏、变频、工业控制、消费类电子等战略性新兴领域。不久前，华微电子发布了2022年一季度报告，报告显示华微电子2022年第一季度实现5.57...
目前,碳化硅器件/模块产品主要有四大类:碳化硅二极管(以碳化硅SBD为主)、碳化硅晶体管(以碳化硅 MOSFET为主)、混合功率模块(碳化硅SBD+硅IGBT)及全碳化硅功率模块。其中,碳化硅SBD由于结构复杂度较低,率先得到大规模商用。而碳化硅MOSFET可替代硅基IGBT,有望受益于新能源汽车的拉动得到快速增长。