(1) SiC功率二极管(a) SiC肖特基二极管(SBD)(b) SiC 结势垒肖特基二极管(JBS)(c) SiC p-i-n二极管(p-i-n)(2) SiC功率晶体管(a) SiC金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)(b) SiC结型场效应晶体管(JFET)(c) SiC双极型晶体管(BJT)(d) SiC绝缘栅双极晶体管(IGBT)(e) SiC晶闸管2.2SiC高温传感器...
IGBT(绝缘栅双极晶体管)模块是各种工业设备中逆变器的必备器件,自1990年商业化以来,其电流容量和耐压不断提高。 此外,三菱机电将芯片结构从平面结构改进为沟槽栅极结构,并通过CSTBT™(利用载流子存储效应的三菱机电专有的IGBT)应对工业设备的低损耗和小型化。 从第5代IGBT开始,三菱机电在传统封装标准(std)型的基础...
SiC MOSFET(碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管)和SiC SBD(碳化硅肖特基势垒二极管)是两种基于碳化硅(SiC)材料的功率半导体器件,它们在电力电子领域具有广泛的应用。尽管它们都属于 2024-09-10 15:19:07 碳化硅肖特基二极管技术演进解析 第二代碳化硅肖特基二极管-JBS简介 产业界以第一代标准肖特基结构做成的肖特基二极管...
浅谈硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动的区别延迟时间。碳化硅MOSFET驱动信号传输延迟需小于200ns,传输延迟抖动小于20ns,可通过以下方式实现: · 采用数字隔离驱动芯片,可以达到信号传输延迟50ns,并且具有比较高的一致性,传输抖动 站着幻想 2023-02-27 16:03:36 碳化硅深层的特性 碳化硅的颜色,纯净者无色透明,含杂质(碳、硅...
第3代致力于提高抗浪涌电流特性并改善漏电流性能,采用了JBS结构,成功地进一步改善了第2代实现的低VF特性。与第2代产品相比,第3代产品在高温时的VF-IF曲线坡度陡峭,相对同一IF,VF较低,已经得到改善。 2019-04-24 - 原厂动态 代理服务 技术支持 采购服务 内置SiC-SBD的SiC-MOSFET产品规格表中记载的二极管...
扬杰科技(300373.SZ)12月2日在投资者互动平台表示, 公司是集研发、生产、销售于一体,专业致力于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试等中高端领域的半导体分立器件芯片厂商。公司主营产品为各类电力电子器件芯片、MOSFET、IGBT及碳化硅SBD、碳化硅JBS、大功率模块、小信号二三极管、功率二极管、整流桥等,产品广泛应...
SiC器件的进展包括高亮和超高亮度蓝绿InGaN基LED，SiC肖特基势垒管（SBD）和SiC金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）的商业化，以及p型沟道SiC IGBT和GaN/AlGaN高电子迁移率晶体管（HEMT）的制备。这些器件利用了SiC独特的电学和热物理性质，如高温下的宽带隙、高功率输出时的高临界击穿电场、高频...
公司主营产品为各类电力电子器件芯片、MOSFET、IGBT及碳化硅SBD、碳化硅JBS、大功率模块、小信号二三极管、功率二极管、整流桥等,产品广泛应用于消费类电子、安防、工控、汽车 电子、新能源等诸多领域。 谢谢。 扬杰科技2021中报显示,公司主营收入20.8亿元,同比上升82.93%;归母净利润3.44亿元,同比上升138.57%;扣非净...
ROHM新推出了两款碳化硅功率模块——BSM400C12P3G202和BSM600C12P3G201(简称G系列),由SiC-UMOSFET和SiC-SBD组成的斩波模块,符合ROHM标准,适用于电机驱动,转换器,光伏,风力发电。 新产品 发布时间 : 2018-11-10 展开更多电子商城 查看更多 RGW00TS65CHRC11 品牌:ROHM 品类:IGBT 价格:￥64.7094 现货: 26...
扬杰科技(300373.SZ)12月2日在投资者互动平台表示, 公司是集研发、生产、销售于一体,专业致力于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试等中高端领域的半导体分立器件芯片厂商。公司主营产品为各类电力电子器件芯片、MOSFET、IGBT及碳化硅SBD、碳化硅JBS、大功率模块、小信号二三极管、功率二极管、整流桥等,产品广泛应...