一般情况下，MOSFET的温度系数比IGBT低，在高温环境下MOSFET的性能更加稳定。由于不同的设计原理，IGBT的正向电压降较MOSFET大。不过在许多应用中，IGBT的高压降会被其他优点，如高瞬态电压承受能力和较低的导通损耗所抵消掉。因此在高电压应用中，IGBT更加适用。成本方面 IGBT因为制造过程复杂且功率处理能力高，成本高于...
MOSFET:在具有最小Eon损耗的ZVS 和 ZCS应用中,由于本身具有较快的开关速度,与IGBT相比它的导通时间更短,MOSFET能够在较高频率下工作。 MOSFET的关断损耗比IGBT低得多,主要是因为IGBT 的拖尾电流,死区时间也要加长。 温度特性和电压降 一般情况下,MOSFET的温度系数比IGBT低,在高温环境下MOSFET的性能更加稳定。 由于...
MOSFET:在具有最小Eon损耗的ZVS 和 ZCS应用中,由于本身具有较快的开关速度,与IGBT相比它的导通时间更短,MOSFET能够在较高频率下工作。 MOSFET的关断损耗比IGBT低得多,主要是因为IGBT 的拖尾电流,死区时间也要加长。 温度特性和电压降 一般情况下,MOSFET的温度系数比IGBT低,在高温环境下MOSFET的性能更加稳定。 由于...
MOSFET:在具有最小Eon损耗的ZVS 和 ZCS应用中,由于本身具有较快的开关速度,与IGBT相比它的导通时间更短,MOSFET能够在较高频率下工作。 MOSFET的关断损耗比IGBT低得多,主要是因为IGBT 的拖尾电流,死区时间也要加长。 温度特性和电压降 一般情况下,MOSFET的温度系数比IGBT低,在高温环境下MOSFET的性能更加稳定。 由于...
从结构来说,以N型沟道为例,IGBT与MOSFET(VDMOS)的差别在于MOSFET的衬底为N型,IGBT的衬底为P型;从原理上说IGBT相当与一个mosfet和一个BIpolar的组合,通过背面P型层的空穴注入降低器件的导通电阻,但同时也会引入一些拖尾电流等问题;从产品来说,IGBT一般用在高压功率产品上,从600V到几千伏都有;MOSFET应用电压相对较...
IGBT:在高功率应用中具有较高的耗散能力,适用于大功率交流调制。 MOSFET:具有较低的开关损耗和导通电阻,适用于高频开关电源。 3.2 开关速度 IGBT:开关速度较慢,适用于低频调制及大功率应用。 MOSFET:开关速度较快,适用于高频开关电源和高速开关应用。 3.3 结构复杂性 ...
MOSFET:由源极、漏极和栅极端子组成,是通过改变栅极电压来控制漏极和源极之间的电流。 当栅极电压为正时,N型区会形成一个导电通道,电流从漏极流向源极; 当栅极电压为负时,通道被截止,电流无法通过。 IGBT:由发射极、集电极和栅极端子组成,是通过控制栅极电压来控制集电极和发射极之间的电流。
从结构来说,以N型沟道为例,IGBT与MOSFET(VDMOS)的差别在于MOSFET的衬底为N型,IGBT的衬底为P型;从原理上说IGBT相当与一个mosfet和一个BIpolar的组合,通过背面P型层的空穴注入降低器件的导通电阻,但同时也会引入一些拖尾电流等问题;从产品来说,IGBT一般用在高压功率产品上,从600V到几千伏都有;MOSFET应用电压相对较...
在控制领域,Mosfet与IGBT二者作为功率开关元件应用广泛,其原理是利用及其组合、变形制成的电路控制元件,除此还有结构更简单的如二极管、BJT、JFET等。本节介绍下电机控制器中常用到的一种场效应晶体管:Mosfet,尤其在碳化硅(SiC)等新材料兴起后,此种晶体管在很多场合会代替IGBT,其应用会更加广泛。
同时具备MOSFET和IGBT优势的HybridMOS MOSFET效率发挥不充分时居多,故使用IGBT的例子不在少数。然而,IGBT在低负载时的效率较差,从APF的角度看,需要寻求在整个范围效率均高的解决方案。Hybrid MOS就是基于这个背景开发而成 Si-MOSFET与IGBT的区别 低Id)范围(在本例中是Vd到1V左右的范围),在IGBT中是可忽略不计的范...