(1) SiC功率二极管(a) SiC肖特基二极管(SBD)(b) SiC 结势垒肖特基二极管(JBS)(c) SiC p-i-n二极管(p-i-n)(2) SiC功率晶体管(a) SiC金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)(b) SiC结型场效应晶体管(JFET)(c) SiC双极型晶体管(BJT)(d) SiC绝缘栅双极晶体管(IGBT)(e) SiC晶闸管2.2SiC高温传感器...
除了可以减小漏电流的优势外,二极管的抗浪涌电流能力也得到增强:在SBD 中,在浪涌电流等级下(浪涌电流一般为普通电流的10倍以上),正向压降将变得非常大到30V,导致器件损坏失效,而对于JBS 而言,当正向压降增加到3.5V以上,由于PN结开启,少数载流子注入导致正向压降下降,阻止了在浪涌电流下器件被热破坏。
结型势垒肖特基(JBS)二极管是在SBD的基础上发展而来的新型器件。JBS器件在SBD的基础上引入了金属-半导体结(M-S)以增强电压承受能力和抑制反向漏电流。JBS器件的结构相对复杂,但具有较低的开关损耗和较高的可靠性。研究表明,JBS器件在高压应用中具有较大的优势。 3. 4H-SiC SBD和JBS器件的比较 3.1 性能比较 研究...
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这充分显示了SiC材料制作功率二极管的巨大威力。在SBD方面,采用SiC材料和JBS结构的器件具有较大的发展潜力。在高压功率二极管领域,SBD肯定会占有一席之地。 肖特基二极管常见的型号: MBR300100CTMBR400100CTMBR500100CTMBR600100CTMBR30050CTMBR40050CTMBR50050CTMBR60050CT...
本发明主要涉及到功率芯片结构领域,特指一种大电流碳化硅SBD/JBS功率芯片结构及其制造方法。背景技术:作为第三代半导体材料,SiC(碳化硅,一种半导体材料,可用于制作半导体器件和集成电路)具有禁带宽度大、击穿电场高、饱和电子漂移速率高、热导率高、化学性质稳定等特点,使SiC基功率器件在高压、高温、高频、大功率、强...
对比SBD、JBS、PiN以及对JBS特性改进可能性的分析 下载积分:2500 内容提示: 硕士学位论文对比SBD、JBS、P i N以及对JBS特性改进可能性的分析,;、Thecomparisonof SBD、JBS、PiNand.the analysis ofthe improvement of JBS刘雪莹2018年3月万方数据 文档格式:PDF | 页数:45 | 浏览次数:156 | 上传日期:2018-11-...
西安电子科技大学博士学位论文4H--SiC功率肖特基势垒二极管(SBD)和结型势垒肖特基(JBS)二极管的研究姓名:***请学位级别:博士专业:微电子学与固体电子学指导教师:**明201201摘要摘要碳化硅(SiC)由于具有禁带宽度大、临界位移能高、热导率高等优点而成为制作高温、高频、大功率和抗辐射器件极具潜力的宽带隙半导体材料。
4H-SiC功率肖特基势垒二极管(SBD)和结型势垒肖特基(JBS)二极管研究.pdf,摘要 摘要 碳化硅(SiC)由于具有禁带宽度大、临界位移能高、热导率高等优点而成为 制作高温、高频、大功率和抗辐射器件极具潜力的宽带隙半导体材料。在功率系 统中,一个良好的整流器件应具有较小的导
4H--SiC功率肖特基势垒二极管(SBD)和结型势垒肖特基(JBS)二极管的研究.pdf功率,整流,研究,SiC,功率和,4HSiC,SBD,JBS,功率二极管,肖特基势垒 文档格式: .pdf 文档大小: 5.99M 文档页数: 118页 顶/踩数: 0/0 收藏人数: 0 评论次数: 0 文档热度: ...