除了可以减小漏电流的优势外,二极管的抗浪涌电流能力也得到增强:在SBD 中,在浪涌电流等级下(浪涌电流一般为普通电流的10倍以上),正向压降将变得非常大到30V,导致器件损坏失效,而对于JBS 而言,当正向压降增加到3.5V以上,由于PN结开启,少数载流子注入导致正向压降下降,阻止了在浪涌电流下器件被热破坏。
碳化硅势垒二极管，英文简称为SiC SBD或者SiC JBS，和碳化硅裸芯片、碳化硅MOSFET和碳化硅模块一起组成了碳...
例如,有从业者提出的专利申请(专利号CN1605124A)中,制作大电流的碳化硅SBD/JBS器件过程中隔离坏元件的方法是通过淀积绝缘层5后选择性地开口而选择性地并联好的元件3,如图1和图2所示。其中,好元件和坏元件是通过电测试的方法进行区分,区分后实例图如图3所示。其具体的步骤是:(1)制造具有暴露出的用于测试的第一...
在器件结构上,碳化硅SBD采用了结型肖特基势垒(Junction Barrier Schottky, JBS)二极管结构进行器件制备,其结构如图1所示。JBS二极管结构结合了肖特基二极管低导通压降的正向特性和类似PiN二极管的低漏电流的阻断特性,因而得到了广泛应用。 图1碳化硅JBS二极管结构示意图 碳化硅JBS二极管的关键工艺在于表面离子注入区宽度和间距...
图1碳化硅JBS二极管结构示意图 碳化硅JBS二极管的关键工艺在于表面离子注入区宽度和间距的调控。在器件制备中,首先通过光刻和等离子体刻蚀等技术进行注入掩膜的图形化,然后进行多次铝离子注入,从而在器件表面形成P型重掺杂区。 此外,这些注入的离子需要进行高温退火工艺以实现激活。完成高温退火后,对芯片进行表面钝化保护,并...
图1碳化硅JBS二极管结构示意图 碳化硅JBS二极管的关键工艺在于表面离子注入区宽度和间距的调控。在器件制备中,首先通过光刻和等离子体刻蚀等技术进行注入掩膜的图形化,然后进行多次铝离子注入,从而在器件表面形成P型重掺杂区。 此外,这些注入的离子需要进行高温退火工艺以实现激活。完成高温退火后,对芯片进行表面钝化保护,并...
因此,第三代SBD通过采用结势垒肖特基(JBS:Junction Barrier Schottky)结构,将IFSM特性提高为了第二代产品的2倍左 右。JBS结构在肖特基界面上制作了细小的PN结二极管,当流过大电流时通过PN结注入空穴,可以抑制漂移层电阻的增大,对 浪涌电流有较高的耐性,因此对于没有旁路二极管的PFC电路也可以使用。
[0028]图7为传统JBS结构与本实用新型的Trench SJ-SBD结构上部分别填充1um, 2um和3um肖特基金属时正向导通阻抗特性的比较图, 可以看出Trench SJ-SBD新结构的正向导通阻抗远远优于传统的JBS平面SBD结构; 同时, 沟槽中上部填充的肖特基金属部分比例越高,正向导通阻抗越低。
碳化硅肖特基二极管技术演进解析 第二代碳化硅肖特基二极管-JBS简介 产业界以第一代标准肖特基结构做成的肖特基二极管(SBD)漏电流大,反向耐压低,产品竞争力差,商业应用价值低。为了提升产品竞争力,碳化硅肖特基二极管的结构也从标准 liutiefu 2023-02-28 16:55:45 ...
sic sbd/jbs作为最常见的4h ‑ sic器件,国内外的研究均取得了引人瞩目的成果。但是,在器件终端结构优化、相关可靠性问题分析及评估、突破传统结构理论极限的新结构设计等方面,还存在诸多问题,制约了4h ‑ sic肖特基器件性能的进一步提升和在电力电子系统中的大范围应用。因此,设计集成sbd的碳化硅器件及制备方法是很...