除了可以减小漏电流的优势外,二极管的抗浪涌电流能力也得到增强:在SBD 中,在浪涌电流等级下(浪涌电流一般为普通电流的10倍以上),正向压降将变得非常大到30V,导致器件损坏失效,而对于JBS 而言,当正向压降增加到3.5V以上,由于PN结开启,少数载流子注入导致正向压降下降,阻止了在浪涌电流下器件被热破坏。
碳化硅势垒二极管，英文简称为SiC SBD或者SiC JBS，和碳化硅裸芯片、碳化硅MOSFET和碳化硅模块一起组成了碳...
例如,有从业者提出的专利申请(专利号CN1605124A)中,制作大电流的碳化硅SBD/JBS器件过程中隔离坏元件的方法是通过淀积绝缘层5后选择性地开口而选择性地并联好的元件3,如图1和图2所示。其中,好元件和坏元件是通过电测试的方法进行区分,区分后实例图如图3所示。其具体的步骤是:(1)制造具有暴露出的用于测试的第一...
在器件结构上,碳化硅SBD采用了结型肖特基势垒(Junction Barrier Schottky, JBS)二极管结构进行器件制备,其结构如图1所示。JBS二极管结构结合了肖特基二极管低导通压降的正向特性和类似PiN二极管的低漏电流的阻断特性,因而得到了广泛应用。 图1碳化硅JBS二极管结构示意图 碳化硅JBS二极管的关键工艺在于表面离子注入区宽度和间距...
[0028]图7为传统JBS结构与本实用新型的Trench SJ-SBD结构上部分别填充1um, 2um和3um肖特基金属时正向导通阻抗特性的比较图, 可以看出Trench SJ-SBD新结构的正向导通阻抗远远优于传统的JBS平面SBD结构; 同时, 沟槽中上部填充的肖特基金属部分比例越高,正向导通阻抗越低。
图1碳化硅JBS二极管结构示意图 碳化硅JBS二极管的关键工艺在于表面离子注入区宽度和间距的调控。在器件制备中,首先通过光刻和等离子体刻蚀等技术进行注入掩膜的图形化,然后进行多次铝离子注入,从而在器件表面形成P型重掺杂区。 此外,这些注入的离子需要进行高温退火工艺以实现激活。完成高温退火后,对芯片进行表面钝化保护,并...
sic sbd/jbs作为最常见的4h ‑ sic器件,国内外的研究均取得了引人瞩目的成果。但是,在器件终端结构优化、相关可靠性问题分析及评估、突破传统结构理论极限的新结构设计等方面,还存在诸多问题,制约了4h ‑ sic肖特基器件性能的进一步提升和在电力电子系统中的大范围应用。因此,设计集成sbd的碳化硅器件及制备方法是很...
碳化硅肖特基二极管技术演进解析 第二代碳化硅肖特基二极管-JBS简介 产业界以第一代标准肖特基结构做成的肖特基二极管(SBD)漏电流大,反向耐压低,产品竞争力差,商业应用价值低。为了提升产品竞争力,碳化硅肖特基二极管的结构也从标准 liutiefu 2023-02-28 16:55:45 ...
扬杰科技(300373.SZ)12月2日在投资者互动平台表示, 公司是集研发、生产、销售于一体,专业致力于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试等中高端领域的半导体分立器件芯片厂商。公司主营产品为各类电力电子器件芯片、MOSFET、IGBT及碳化硅SBD、碳化硅JBS、大功率模块、小信号二三极管、功率二极管、整流桥等,产品广泛应...
[0003]为此,近年来许多研究尝试在SiC MOSFET中直接集成续流能力强的单极型二极管,例如SBD、JBS、MPS、异质结二极管、MCD等,其中集成SBD是工艺可行性最高的方法。迄今为止,诸多研究者对集成SBD的器件结构进行了各式各样的创新,其中性能良好是2017年Yusuke Kobayashi提出的侧壁集成SBD的SWITCH技术。虽然SWITCH技术显著降低...