(2)它的反向漏电流较大且对温度敏感,SBD的结温在125℃到175℃之间,而PIN整流管是200℃。 随着半导体工艺成熟学者们进一步突出SBD的优点,提出了众多新结构来提高SBD的反向耐压,比如TMBS/JBS/TJBS/MPS等,另外就是更换材料,用SiC耐压,可以实现更高的耐压。 2、肖特基势垒二极管应用 a)电源电路二次侧的整流 SBD用于...
[0003]为此,近年来许多研究尝试在SiC MOSFET中直接集成续流能力强的单极型二极管,例如SBD、JBS、MPS、异质结二极管、MCD等,其中集成SBD是工艺可行性最高的方法。迄今为止,诸多研究者对集成SBD的器件结构进行了各式各样的创新,其中性能良好是2017年Yusuke Kobayashi提出的侧壁集成SBD的SWITCH技术。虽然SWITCH技术显著降低...
另外,在与反向耐压为 200V 左右的 SBD 相交界的区域中,存在 兼容了 SBD 和 FRD 的长处的 JBS (Junction Barrier Schottky)或 MPS (Merged PIN Schottky)二极管产品。 SBD 的特性受势垒金属的影响较大。即使在同一反向耐压时,根据厂商的不同,所使 用的势垒金属也可能有所不同。 SBD 产品系列示例 选择产品时...
3.目前碳化硅肖特基二极管(schottky barrier diodes,以下简称sbd)往往采用mps(merged pin/schottky diode)结构,如图1所示,在器件的设计过程中存在两个问题:一是,对于mps的设计,存在器件单位面积电流密度和正向导通阻抗与器件肖特基区表面电场强度及可靠性的矛盾,肖特基区单元宽度m越宽,器件的正向导通阻抗越低,但m越大,...
SiCJBS在高压、 高速等领域都具有广泛的应用前景,因而受到广泛关注。 在器件的工艺制作及电学特性方面,K.Tone等人用Ni作肖特基接触和衬底的 16 4H.SiC功率肖特基势垒二极管(SBD)和结型势垒肖特基(嵋S)二极管的研究 4H.SiC MPS:对器件在室温至250℃条件下进行了测试,其1.V特性表明它并具 有类似PiN二极管较小的...
另外, 在与反向耐压为 200V 左右的 SBD 相交界的区域中, 存在兼容了 SBD 和 FRD 的长处的 JBS (Junction Barrier Schottky)或 MPS (Merged PIN Schottky)二极管产品。 SBD 的特性受势垒金属的影响较大。 即使在同一反向耐压时, 根据厂商的不同, 所使用... 文档格式:DOCX | 页数:5 | 浏览次数:19 | ...
另外,在与反向耐压为 200V 左右的 SBD 相交界的区域中,存在 兼容了 SBD 和 FRD 的长处的 JBS (Junction Barrier Schottky)或 MPS (Merged PIN Schottky)二极管产品。 SBD 的特性受势垒金属的影响较大。即使在同一反向耐压时,根据厂商的不同,所使 用的势垒金属也可能有所不同。 SBD 产品系列示例 选择产品时...
Gao Yan等人【1’72】将1200V的SiCBJT器件分别和SiCPiN、MPS器件进行了 集成,相对于分立的反并联二极管而言,集成方案可以有效地降低成本、面积和 寄生效应;相对于集成PiN器件,MPS器件降低了36.4%的最大反向恢复电流和 近30%的反向恢复电荷。 第一章绪论 17 2008年Robert 的耐压为1.2kV和10kV的SiCJBS二极管Il-31...