PSMN057-200P 规格参数 是否Rohs认证: 符合 生命周期: Active 包装说明: FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 Reach Compliance Code: not_compliant 风险等级: 5.28 雪崩能效等级(Eas): 300 mJ 外壳连接: DRAIN 配置: SINGLE WITH BUILT-IN DIODE 最小漏源击穿电压: 200 V 最大漏极电流 (ID): 39 A 最大漏源...
制造商编号 PSMN057-200P,127 商品别名 PSMN057-200P 制造商 Nexperia(安世) 授权代理品牌 唯样编号 C-PSMN057-200P,127 供货 海外代购M 代购 无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs 描述 MOSFET N-CH 200V 39A TO220AB分享: 数据手册 发送到邮箱 PDF资料下载 PSMN057-200P,127.pdf 参数信息 常见...
9630、PSMN057-200P.127、2S 深圳市盛德信科技有限公司14年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥10.00 779504-01 原装现货 集成IC芯片 D3131M 货号 PSMN012-80PS,127、PSMN040-200W,127、PSMN015-60PS,127、PSMN013-30YLC,115、PSMN012-60HLX、PSMN017-30EL,127、PSMN013-100BS,118、PS...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 其他集成电路 商品关键词 PSMN057-200P、 NEXPERIA/安世、 TO-220 商品图片 商品参数 品牌: NEXPERIA/安世 封装: TO-220 批号: 21+ 数量: 10000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -50C 最大工作温度: 80C 最小电...
商品关键词 PSMN057-200P、 WINSOK、 TO-220AB 商品图片 商品参数 品牌: WINSOK 封装: TO-220AB 批号: 2020+ 数量: 96525 FET类型: 单N沟道 漏源电压(Vdss): 200 漏极电流(Id): 39 漏源导通电阻(RDS On): 0.057 栅源电压(Vgs): 3 栅极电荷(Qg): 96 反向恢复时间: 385 最大...
PSMN057-200PN沟道增强型场效应晶体管N-channel TrenchMOS (tm) transistor - Configuration: Single N-channel ; ID DC: 39 A; Qgd (typ): 37 nC; RDS(on): 57@10V mOhm; VDSmax: 200 V由NXP原厂生产,采用SOT78/TO-220封装,批号10+,微芯百年集成电路仓库目前有库存
制造商编号 PSMN057-200P,127 商品别名 PSMN057-200P 制造商 Nexperia(安世) 授权代理品牌 唯样编号 D-PSMN057-200P,127 供货 海外代购D 代购 无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs 描述 MOSFET N-CH 200V 39A TO220AB分享: 数据手册 发送到邮箱 PDF资料下载 PSMN057-200P,127.pdf 参数信息 常见...
制造商编号 PSMN057-200P,127 商品别名 PSMN057-200P 制造商 Nexperia(安世) 授权代理品牌 唯样编号 G-PSMN057-200P,127 供货 Arrow 代购 无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs 描述 MOSFET N-CH 200V 39A TO220AB分享: 数据手册 发送到邮箱 PDF资料下载 PSMN057-200P,127.pdf 参数信息 常见问题 ...